时间：2025/4/28 20:40:42
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IKW30N60T 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-252 封装形式，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率转换的场景。
这款 MOSFET 具有较低的导通电阻和较高的电流处理能力，能够在高频开关条件下提供高效的性能表现。其耐压值为 60V，使其适用于中低压应用环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷（典型值）：18nC
工作结温范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-252
IKW30N60T 的主要特点包括低导通电阻，有助于减少传导损耗，提高系统效率；高电流承载能力使其能够胜任大功率应用需求；快速开关特性减少了开关损耗，提升了整体性能。
此外，该器件具备良好的热稳定性，在高温环境下依然能保持稳定的性能输出。其优化的栅极电荷设计进一步降低了驱动损耗，适合高频开关应用。
在封装方面，TO-252 提供了可靠的机械性能与电气连接，同时支持表面贴装技术（SMD），便于自动化生产和组装。
IKW30N60T 广泛用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流器或主开关管。
2. 电机驱动电路中的功率级开关元件。
3. DC-DC 转换器中的功率开关。
4. 各类工业控制及消费电子设备中的负载开关。
由于其出色的效率和可靠性，该器件非常适合需要高性能功率管理的应用场景。
IKW28N60T, IRFZ44N, FDP069N06L
