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IKW15N120H3 发布时间 时间:2023/3/10 15:12:56 查看 阅读:210

    制造商:Infineon

    产品种类:IGBT晶体管

    RoHS:是



目录

概述

    制造商:Infineon

    产品种类:IGBT晶体管

    RoHS:是

    集电极—发射极最大电压VCEO:1200V

    集电极—射极饱和电压:2.7V

    栅极/发射极最大电压:+/-20V

    ContinuousCollectorCurrentat25C:30A

    栅极—射极漏泄电流:600nA

    功率耗散:217W

    最大工作温度:+175C

    封装/箱体:TO-247-3

    封装:Tube

    最小工作温度:-40C

    安装风格:ThroughHole

    StandardPackQty:240

    零件号别名:IKW15N120H3XK


资料

厂商
Infineon Technologies

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IKW15N120H3参数

  • 数据列表IKW15N120H3
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,15A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)30A
  • 功率 - 最大217W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000674422