时间：2025/7/15 18:11:21
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IHW30N90T 是一款由英飞凌（Infineon）推出的高性能功率MOSFET器件，采用了先进的Trench技术，具有低导通电阻和优异的开关性能。该器件广泛应用于电源转换、电机控制、电动汽车充电系统、工业自动化等领域，适用于高频率开关操作，能够有效降低开关损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：30A
漏源击穿电压（VDS）：900V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.15Ω
栅极电荷（Qg）：约45nC
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-247
最大耗散功率（Ptot）：约80W
IHW30N90T 采用了英飞凌先进的Trench MOSFET技术，具有较低的导通电阻和快速的开关速度，能够显著减少导通损耗和开关损耗。其高击穿电压能力（900V）使其适用于高电压应用，如开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）电路。此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，可在高负载条件下保持稳定运行。其封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。此外，该器件还具有较低的栅极电荷，有助于提升开关效率，适用于高频开关应用。
IHW30N90T 主要应用于各类高功率开关电源、工业电机驱动器、功率因数校正（PFC）模块、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器以及电动汽车充电设备等。由于其优异的性能，该器件在需要高效率和高可靠性的电源管理系统中具有广泛的应用前景。
IKW30N90T、IPW30N90T、STF30N90M5、FDPF30N90
