您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > IHW30N160R2

IHW30N160R2 发布时间 时间:2023/3/10 15:13:01 查看 阅读:646

    制造商: Infineon

    产品种类: IGBT 晶体管

    封装 / 箱体: TO-247-3

 


目录

概述

    制造商: Infineon

    产品种类: IGBT 晶体管

    封装 / 箱体: TO-247-3

    集电极—发射极最大电压 VCEO: 1.6 KV

    集电极—射极饱和电压: 2.35 V

    栅极/发射极最大电压: +/- 25 V

    集电极最大连续电流 Ic: 60 A

    功率耗散: 312 W

    封装: Tube

    配置: Single

    最大工作温度: + 175 C

    最小工作温度: - 40 C

    安装风格: Through Hole


资料

厂商
Infineon Technologies

IHW30N160R2推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

IHW30N160R2参数

  • 数据列表IHW30N160R2
  • 标准包装240
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型NPT、沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)1600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.1V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大312W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-247-3
  • 供应商设备封装PG-TO247-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000273701