IHW20N120R5 是一款高性能的 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)功率器件,由 Infineon Technologies 提供。该芯片采用了先进的沟槽栅场截止技术(Trench Field Stop Technology),能够在高电压和大电流环境下提供高效的开关性能和低导通损耗。这种 IGBT 适合用于工业逆变器、不间断电源 (UPS)、电机驱动、太阳能逆变器等需要高效率和可靠性的应用领域。
其设计优化了开关特性和热性能,确保在高频工作条件下仍能保持较低的能耗,并具备出色的短路耐受能力。
最大集电极-发射极电压:1200V
连续集电极电流:20A
典型导通压降(Vce(sat)):1.7V
最大工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
开关频率范围:高达 20kHz
封装类型:Easy 1B
IHW20N120R5 的主要特点是采用了 Infineon 的 TRENCHSTOP 技术,这使其具备以下优势:
1. 高效的开关性能:具有较低的开关损耗和导通损耗,适合高频应用。
2. 出色的热稳定性:能够在极端温度范围内稳定工作。
3. 短路保护能力:支持至少 10 微秒的短路耐受时间。
4. 小型化封装:采用 Easy 1B 封装,减少了寄生电感并提升了散热性能。
5. 高可靠性:通过多种严格测试验证,保证长期运行的稳定性。
6. 可控的动态特性:内置快速软恢复二极管,减少开关噪声并提高系统效率。
IHW20N120R5 广泛应用于需要高效功率转换的场景,具体包括:
1. 工业变频器:
- 用于控制电机速度和转矩。
2. 太阳能逆变器:
- 实现直流到交流的高效转换。
3. 不间断电源 (UPS):
- 在电力中断时提供备用电源支持。
4. 电动汽车 (EV) 充电桩:
- 提升充电效率和可靠性。
5. 焊接设备:
- 稳定输出高能量焊接电流。
6. 伺服驱动器:
- 为精密运动控制提供动力支持。
FGH20N120MD, IRG4PC20UD, FZ20N120P