IH5043MJE/883B 是一款由 Intersil 公司生产的高性能、低功耗的 CMOS 静态随机存取存储器(SRAM)。该器件采用先进的 CMOS 技术制造,具有高速存取时间和低功耗特性,适用于需要高可靠性和高性能的工业和军事应用。IH5043MJE/883B 是一种 4K x 8 位的 SRAM,采用 28 引脚陶瓷双列直插封装(Ceramic DIP),并且符合 MIL-PRF-38535 标准,适用于高可靠性应用场景。
容量:32K bit
组织结构:4K x 8 位
电源电压:+5V 单电源供电
访问时间:最大 55ns(在 25°C 下)
工作温度范围:-55°C 至 +125°C
封装类型:28 引脚陶瓷 DIP
功耗:典型 200mA(待机模式下小于 10mA)
数据保持电压:最小 2.0V
输入/输出逻辑电平:TTL 兼容
IH5043MJE/883B 的主要特性之一是其高速访问能力,最大访问时间为 55ns,这使得它适用于高速缓存、实时数据缓冲等对速度要求较高的应用。
此外,该芯片采用先进的 CMOS 工艺制造,具有较低的功耗,即使在高速运行时也能保持相对较低的能耗。在待机或低功耗模式下,电流消耗可降至 10mA 以下,非常适合对功耗敏感的设计。
作为符合 MIL-PRF-38535 标准的器件,IH5043MJE/883B 经过了严格的测试和筛选,确保其在极端环境条件下(如高温、低温、振动等)仍能保持稳定运行,适用于航空航天、军事设备和工业控制系统等领域。
该 SRAM 提供 TTL 兼容的输入和输出电平,便于与多种数字系统接口连接。同时,其数据保持电压最低可降至 2.0V,在系统断电或低电压情况下仍可保持数据不丢失,适合用于非易失性存储应用中的临时数据存储。
IH5043MJE/883B 广泛应用于对可靠性和性能要求极高的军事、航空航天和工业控制系统中。例如,在航空航天设备中,它可以作为临时数据缓存或程序存储器,用于飞行控制系统、导航设备和数据采集模块。
在军事设备中,该芯片常用于雷达系统、通信模块和嵌入式处理器系统,作为高速数据存储单元以支持实时处理需求。
此外,由于其低功耗特性和宽工作温度范围,IH5043MJE/883B 也适用于恶劣环境下的工业控制系统,如石油勘探设备、高温测试仪器和自动化生产线控制器。
对于需要数据保持能力的应用,例如不间断电源(UPS)系统或远程监控装置,该 SRAM 可以与备用电池结合使用,确保在主电源断电时数据不会丢失。
IDT71V433S, CY62148BV, AS7C34098A, IS61LV25616AL