IH1193V01 时间：2025/8/21 20:51:24 阅读：6

IH1193V01 是一款由 IXYS 公司生产的高压、高频绝缘栅双极型晶体管（IGBT），专为高性能功率转换应用设计。该器件结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降特性，适用于逆变器、电机控制、电源转换和工业自动化等需要高效率和高可靠性的系统。IH1193V01 采用先进的芯片技术和优化的封装设计，能够在高电压和高电流条件下稳定工作，同时具备较低的开关损耗和导通损耗。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：50A
　　最大工作温度：150°C
　　短路耐受能力：典型值为10μs
　　导通压降（VCE_sat）：约2.1V（在IC=50A时）
　　输入电容（Cies）：约2800pF
　　输出电容（Coes）：约480pF
　　反向恢复时间（trr）：约200ns
　　封装形式：TO-247

特性

IH1193V01 IGBT 具备多项优异特性，适用于高要求的功率电子系统。其主要特性包括高压和高电流处理能力，可支持高达1200V的集电极-发射极电压和50A的最大集电极电流，使得该器件能够胜任大功率应用场景。
　　该器件在导通状态下的集电极-发射极饱和压降（VCE_sat）约为2.1V，相较于同类产品具备较低的导通损耗，有助于提高整体能效。此外，其开关特性也经过优化，具有较低的输入电容（Cies）和输出电容（Coes），分别为2800pF和480pF，从而降低了高频开关过程中的驱动损耗，提高了系统的响应速度和效率。
　　 IH1193V01 还具备良好的短路耐受能力，典型值为10μs，能够在瞬态故障条件下提供更高的可靠性。其反向恢复时间（trr）约为200ns，确保了在整流和逆变应用中的快速响应能力。这些特性共同提升了器件在电机驱动、逆变器和电源转换器等应用中的性能表现。
　　在封装方面，IH1193V01 采用 TO-247 封装形式，具有良好的热管理和电气绝缘性能，确保在高温环境下仍能稳定运行。这种封装形式广泛用于工业级功率模块中，易于安装和散热管理。

应用

IH1193V01 IGBT 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。其典型应用包括工业电机驱动器、变频器、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和电焊机等。在电机控制领域，IH1193V01 可用于构建高效的三相逆变桥，实现对交流电机的精确调速和节能运行。在可再生能源系统中，如光伏逆变器，该器件可有效提高能量转换效率，并适应宽范围的输入电压变化。此外，在电焊设备中，IH1193V01 的高短路耐受能力和快速开关特性可提供稳定的焊接电流控制，提高焊接质量和设备寿命。由于其优异的热性能和高耐压能力，IH1193V01 也广泛用于各类高功率电源转换模块和工业自动化控制系统。