时间：2025/5/20 9:01:21
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IGW75N60T是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等功率转换领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号中的“75”代表其最大漏源极电压为75V，“N”表示这是一款N沟道MOSFET，“60”则通常与电流或功率参数相关联。它适合在高频开关条件下使用，并且具备良好的热性能和可靠性。
最大漏源极电压：75V
最大连续漏极电流：60A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：120nC
输入电容：3200pF
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
IGW75N60T的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可显著减少传导损耗。
2. 高效的开关性能，适用于高频应用环境。
3. 强大的雪崩能力，提高了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 良好的热稳定性和耐热循环能力。
5. 紧凑型封装设计，便于安装和散热管理。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
这款MOSFET非常适合以下应用场景：
1. 开关模式电源（SMPS）中的主开关或同步整流元件。
2. 工业设备中的电机控制和驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
4. 电动车及混合动力车的动力电子系统。
5. 各类负载切换和保护电路，如过流保护、短路保护等。
IGW75N60H
IRF7560
FDP068N07L
