时间：2025/5/7 11:01:29
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IGW50N65F5 是一款由 Infineon（英飞凌）生产的 N 沟道增强型 MOSFET。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具有低导通电阻和高开关速度的特性，适用于高频开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他功率转换应用。
这款 MOSFET 的最大额定电压为 650V，连续漏极电流为 50A（在 25°C 下），并且具备出色的热稳定性和可靠性。其封装形式通常为 TO-247 或 TO-220，便于散热设计。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：50A（@25°C）
栅极阈值电压：3V 至 5V
导通电阻（典型值）：180mΩ（@Vgs=10V）
总功耗：225W
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-247/TO-220
1. 高电压耐受能力：IGW50N65F5 提供高达 650V 的漏源击穿电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：该器件在 Vgs=10V 时具有低至 180mΩ 的导通电阻，从而减少了导通损耗。
3. 快速开关性能：得益于先进的沟槽式 MOSFET 技术，IGW50N65F5 具有较短的开关时间和较低的开关损耗。
4. 热稳定性强：能够在高达 +175°C 的结温下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准：环保且无铅设计，满足国际环保要求。
6. 封装选项丰富：支持 TO-247 和 TO-220 等常见工业封装，方便集成到各种电路中。
1. 开关电源（SMPS）：
用于 AC-DC 和 DC-DC 转换器中的高频开关元件，提供高效的能量转换。
2. 电机驱动：
适用于各种电机控制场合，例如家用电器、工业设备和电动工具。
3. 太阳能逆变器：
作为功率级开关器件，助力实现高效的能量管理。
4. UPS 不间断电源：
为关键负载提供稳定可靠的电力支持。
5. LED 驱动器：
用于大功率 LED 照明系统的恒流或恒压控制。
IGBT50N65F5, IRFP460, STGW50N65F5
