IGW50N60TP 时间：2025/5/8 14:48:16 阅读：6

IGW50N60TP 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等高电压应用场景中。该器件采用了先进的沟槽式工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，能够有效降低功耗并提升系统效率。

参数

最大漏源电压：600V
　　连续漏极电流：50A
　　导通电阻（典型值）：180mΩ
　　栅极电荷（典型值）：72nC
　　反向恢复时间：35ns
　　工作结温范围：-55℃ 至 +175℃

特性

IGW50N60TP 采用了沟槽式 MOSFET 技术，具备以下显著特点：
　　1. 高耐压能力：支持高达 600V 的漏源电压，适用于高压应用环境。
　　2. 低导通电阻：典型值为 180mΩ，在大电流条件下可有效减少导通损耗。
　　3. 快速开关性能：较低的栅极电荷和反向恢复时间确保了更快的开关速度，减少了开关损耗。
　　4. 高可靠性：通过优化设计和制造工艺，提升了器件在极端温度条件下的稳定性和寿命。
　　5. 小型封装：采用 TO-247 或 DPAK 封装形式，节省 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。

应用

IGW50N60TP 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下场景：
　　1. 开关电源 (SMPS)：用于高效能量转换和输出调节。
　　2. 电机驱动：控制直流电机或无刷直流电机的速度与方向。
　　3. DC-DC 转换器：实现输入输出电压的稳定变换。
　　4. UPS 不间断电源：提供可靠的后备供电功能。
　　5. 工业自动化设备：如变频器、伺服控制器等需要高效率功率管理的场合。