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IGP30N60H3 发布时间 时间:2025/6/11 13:38:14 查看 阅读:25

IGP30N60H3是一款由英飞凌(Infineon)推出的MOSFET功率晶体管,采用TO-247封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种工业及消费类电子领域。其耐压值为600V,能够承受较高的电压波动,同时具备良好的热性能和可靠性。
  这款MOSFET基于先进的沟槽式技术制造,显著降低了导通损耗和开关损耗,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及光伏逆变器等应用场合。

参数

额定电压:600V
  额定电流:30A
  导通电阻(Rds(on)):150mΩ(典型值,于Vgs=10V时)
  栅极电荷:48nC(最大值)
  输入电容:2350pF
  连续漏极电流:30A
  脉冲漏极电流:90A
  工作结温范围:-55℃至+175℃
  封装形式:TO-247

特性

IGP30N60H3的核心特点是采用了优化的沟槽式MOSFET结构,从而实现了以下优势:
  1. 低导通电阻:在高电流应用中减少功耗,提升效率。
  2. 快速开关能力:通过降低栅极电荷和输出电容来实现更快的开关速度,适合高频工作环境。
  3. 热稳定性强:具备较低的热阻和优异的散热性能,确保长期可靠运行。
  4. 高耐压能力:600V的击穿电压保证了器件在高压条件下的稳定性和安全性。
  5. 可靠性高:符合严格的工业标准,能够在恶劣环境下正常工作。
  6. 小型化设计:虽然采用TO-247封装,但整体布局紧凑,节省空间。

应用

IGP30N60H3广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景中,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS):用于AC-DC或DC-DC转换电路。
  2. 工业电机控制:例如伺服驱动、步进电机控制等。
  3. 新能源领域:如太阳能逆变器、风能转换系统。
  4. 电动车辆:电动车充电器、电池管理系统。
  5. 消费类电子产品:家用电器中的电源管理模块。
  6. 能量回收装置:如制动能量再生系统。
  由于其出色的性能和宽泛的应用范围,这款MOSFET已成为许多工程师在设计高性能功率转换设备时的首选元件。

替代型号

IPW30N60H3, IGT30N60H3

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IGP30N60H3参数

  • 数据列表IGP30N60H3
  • 标准包装500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭IGBT - 单路
  • 系列TrenchStop™
  • IGBT 类型沟道和场截止
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)600V
  • Vge, Ic时的最大Vce(开)2.4V @ 15V,30A
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)60A
  • 功率 - 最大187W
  • 输入类型标准型
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装PG-TO220-3
  • 包装管件
  • 其它名称SP000702546