时间：2025/4/29 15:35:06
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IGP15N60T是一款高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要应用于高频开关电源、DC-DC转换器、逆变器以及电机驱动等领域。该器件采用N沟道技术，具备高耐压和低导通电阻的特点，能够有效提升系统效率并降低功率损耗。其封装形式通常为TO-247或TO-220，便于散热设计和安装。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：15A
导通电阻：3.8Ω
栅极电荷：35nC
开关速度：快速恢复
工作结温范围：-55℃至+150℃
IGP15N60T具有以下显著特性：
1. 高击穿电压（600V），适用于高压环境。
2. 低导通电阻（3.8Ω典型值），减少导通状态下的功率损耗。
3. 快速开关性能，支持高频应用，可提高系统的功率密度。
4. 良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内可靠运行。
5. 封装结构坚固，便于高效散热，适合功率密集型应用。
这款MOSFET广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 逆变器
4. 电机驱动
5. 工业控制设备
6. UPS不间断电源系统
由于其高耐压和低损耗特点，特别适合需要高效率和稳定性的电力电子设备。
IPW15N60D, IRFP460, STP15NK60Z
