类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　漏极电流（ID）：12A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω
　　栅极电压（VGS）：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247
　　功率耗散（PD）：80W

IFXH12N120P 的核心特性之一是其高达1200V的漏源电压（VDS），这使得它非常适合用于高电压应用。其导通电阻为0.65Ω，在同类器件中表现出色，能够显著降低导通损耗，提高整体效率。
　　此外，该MOSFET采用了英飞凌的沟槽式（Trench）技术，这种技术可以有效减少芯片面积，同时提升器件的电流密度，从而实现更低的导通电阻和更高的开关性能。
　　在热性能方面，IFXH12N120P 的封装设计优化了散热性能，确保在高功率条件下仍能保持稳定的工作状态，延长器件的使用寿命。
　　该器件的栅极电压范围为±20V，支持更高的驱动电压，有助于提升开关速度并减少开关损耗。此外，IFXH12N120P 具有较高的雪崩能量承受能力，能够在过载或短路情况下提供额外的保护功能，提高系统的可靠性。
　　IFXH12N120P 的封装形式为TO-247，这种封装不仅具有良好的散热性能，而且广泛应用于工业级功率电子设备中，便于安装和散热设计。

IFXH12N120P 广泛应用于多种高功率电子系统中，特别是在需要高电压和高效率的场景。常见的应用包括开关电源（SMPS）、不间断电源（UPS）、逆变器、电机驱动、光伏逆变器、电焊设备以及工业自动化控制系统等。
　　在开关电源中，IFXH12N120P 可以作为主开关元件，用于DC-DC或AC-DC转换，其低导通电阻和高开关速度有助于提升电源转换效率。
　　在光伏逆变器中，该器件能够处理高电压和大电流，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，输送到电网或负载设备中。
　　在电机驱动应用中，IFXH12N120P 可用于高频PWM（脉宽调制）控制，实现电机的精确调速和高效运行。
　　此外，该器件还适用于高频电源变换器、电焊机电源系统以及电动汽车充电设备等新兴应用领域。

IXFH12N120P, FDPF12N120DN