时间：2025/5/24 12:20:57
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IFX1050GVIOXUMA1是英飞凌（Infineon）生产的一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件适用于高功率应用场合，具有低导通电阻和快速开关性能。它主要应用于电源管理、电机驱动、工业控制以及汽车电子等领域。其封装形式为TO-263-3（D2PAK），能够有效提高散热性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：58A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，@Vgs=10V）
总功耗：270W
工作结温范围：-55℃至+175℃
IFX1050GVIOXUMA1采用了先进的沟槽式MOSFET技术，具备以下特点：
1. 极低的导通电阻，有助于降低传导损耗，提升效率。
2. 高速开关性能，适合高频应用环境。
3. 强大的雪崩能力，增强了器件在异常条件下的耐受性。
4. 符合AEC-Q101标准，确保其在汽车应用中的可靠性。
5. 封装设计优化了热性能和电气连接性能。
该MOSFET广泛应用于多种领域，包括但不限于以下方面：
1. 汽车电子系统中的负载开关和电机控制。
2. 工业自动化设备中的电源管理和功率转换。
3. 通信设备中的DC/DC转换器。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关产品。
5. 各种类型的开关电源适配器和充电器。
BSC010N06NS3, IRFZ44N
