时间：2025/5/10 12:00:33
阅读：9
IFR3386T0SE01是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高频和高效功率转换应用设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和优异的开关性能，广泛应用于DC-DC转换器、电机驱动、电源管理和通信设备中。
其封装形式为TO-263-3，也称为DPAK，能够提供良好的散热性能和电气特性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：11nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃至+175℃
封装类型：TO-263-3 (DPAK)
IFR3386T0SE01具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（2.5mΩ），可显著降低功率损耗，提升系统效率。
2. 低栅极电荷和输出电荷，支持更高的开关频率，适用于高频应用。
3. 高雪崩能力，能够在异常条件下保护器件免受损坏。
4. 热稳定性强，能在高温环境下可靠运行。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的法规要求。
6. 封装具备出色的散热性能，确保在高电流负载下的稳定表现。
该器件适合多种应用领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关和同步整流。
2. DC->3. 电机控制和驱动电路中的功率级。
4. 汽车电子系统中的负载切换。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
6. 通信设备中的高效功率转换解决方案。
IRF3386TRPBF, IFR3386T0SE1, IRF3386PBF
