时间：2025/8/3 12:18:24
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IF2415D-1W是一款由InFineon Technologies（英飞凌）生产的双路N沟道功率MOSFET，采用先进的沟槽式功率MOSFET技术，适用于高效率电源转换应用。该器件集成两个N沟道MOSFET在单一封装中，适用于同步整流、DC-DC转换器、电机控制以及负载开关等应用。其紧凑的封装设计有助于节省PCB空间，同时具备良好的热性能。
类型：双路N沟道MOSFET
漏源电压(VDS)：30V
栅源电压(VGS)：±20V
连续漏极电流(ID)：8A（单个通道）
导通电阻(RDS(on))：18mΩ（典型值，@VGS=10V）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：PG-DSO-8
功率耗散(PD)：2.5W
IF2415D-1W具有优异的导通性能和快速开关特性，使其在高频开关电源中表现出色。其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，提高了系统效率。该器件采用先进的沟槽技术，优化了电场分布，提高了器件的耐压能力和稳定性。
此外，该MOSFET模块内部集成两个独立的N沟道MOSFET，允许设计人员在同步整流、半桥或全桥拓扑中使用，从而简化了电路设计并减少了外围元件数量。其PG-DSO-8封装具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
该器件还具备出色的抗雪崩能力，能够在高能量负载下保持稳定运行。内置的栅极保护二极管有助于防止静电放电（ESD）损坏，提高了器件的可靠性和使用寿命。
IF2415D-1W广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。其高集成度和高性能特性使其成为电源管理设计中的理想选择。
SiR142DP-T1-GE3, IPB013N04LGATMA1, IRF7413TRPBF
