时间：2025/8/3 18:46:10
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IF2405S-2W 是一款由 InterFET（现属于 Infineon Technologies）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。IF2405S-2W 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：3.7mΩ（最大值，@VGS=10V）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-252（DPAK）
输入电容（Ciss）：1900pF（典型值）
开启阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V
IF2405S-2W 具备多项优异的电气和热性能，使其在多种功率应用中表现出色。
首先，该器件的低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻仅为 3.7mΩ，在高电流应用中可有效减少功率损耗和发热。
其次，IF2405S-2W 的最大漏源电压为 30V，支持中等电压范围的应用，如 12V 和 24V 系统中的电源转换和负载控制。其栅源电压容限为 ±20V，具备良好的栅极驱动兼容性，适合多种驱动电路设计。
此外，该 MOSFET 采用 TO-252（DPAK）封装，具有良好的热管理性能，能够在高功率密度环境下稳定运行。该封装形式也便于 PCB 布局和自动化装配，适用于大规模生产和工业应用。
IF2405S-2W 的工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，可在恶劣的环境条件下保持稳定性能，适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等高可靠性要求的场合。
该器件的输入电容较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适合高频开关应用。其开启阈值电压范围为 1V 至 2.5V，确保在多种驱动条件下都能实现快速、可靠的导通控制。
IF2405S-2W 广泛应用于多种功率电子系统中。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件特别适用于需要高效率和低导通损耗的电源管理应用，例如在服务器电源、电信设备和便携式电子产品的电源系统中。由于其良好的热性能和高电流能力，IF2405S-2W 也常用于汽车电子系统中的电机控制和配电管理，如电动助力转向系统（EPS）、车身控制模块（BCM）以及车载充电器（OBC）等。此外，该 MOSFET 还可用于 UPS（不间断电源）、逆变器和 LED 照明驱动等应用，提供稳定可靠的功率控制解决方案。
Si4410DY, IRF3710, FDS6680, IPB036N04LG
