IF2405S-2W 是一款由 InterFET(现属于 Infineon Technologies)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用,广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。IF2405S-2W 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于需要高可靠性和高性能的工业和消费类电子产品。
类型:N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压(VDS):30V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):60A
导通电阻(RDS(on)):3.7mΩ(最大值,@VGS=10V)
功率耗散(PD):100W
工作温度范围:-55°C 至 175°C
封装形式:TO-252(DPAK)
输入电容(Ciss):1900pF(典型值)
开启阈值电压(VGS(th)):1V 至 2.5V
IF2405S-2W 具备多项优异的电气和热性能,使其在多种功率应用中表现出色。
首先,该器件的低导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率。其最大导通电阻仅为 3.7mΩ,在高电流应用中可有效减少功率损耗和发热。
其次,IF2405S-2W 的最大漏源电压为 30V,支持中等电压范围的应用,如 12V 和 24V 系统中的电源转换和负载控制。其栅源电压容限为 ±20V,具备良好的栅极驱动兼容性,适合多种驱动电路设计。
此外,该 MOSFET 采用 TO-252(DPAK)封装,具有良好的热管理性能,能够在高功率密度环境下稳定运行。该封装形式也便于 PCB 布局和自动化装配,适用于大规模生产和工业应用。
IF2405S-2W 的工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C,可在恶劣的环境条件下保持稳定性能,适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等高可靠性要求的场合。
该器件的输入电容较低,有助于减少开关损耗,提高响应速度,适合高频开关应用。其开启阈值电压范围为 1V 至 2.5V,确保在多种驱动条件下都能实现快速、可靠的导通控制。
IF2405S-2W 广泛应用于多种功率电子系统中。常见应用包括同步整流 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源分配系统以及工业自动化设备中的功率控制模块。该器件特别适用于需要高效率和低导通损耗的电源管理应用,例如在服务器电源、电信设备和便携式电子产品的电源系统中。由于其良好的热性能和高电流能力,IF2405S-2W 也常用于汽车电子系统中的电机控制和配电管理,如电动助力转向系统(EPS)、车身控制模块(BCM)以及车载充电器(OBC)等。此外,该 MOSFET 还可用于 UPS(不间断电源)、逆变器和 LED 照明驱动等应用,提供稳定可靠的功率控制解决方案。
Si4410DY, IRF3710, FDS6680, IPB036N04LG