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IDWD15G120C5 发布时间 时间:2025/7/24 18:45:24 查看 阅读:20

IDWD15G120C5是一款由IXYS公司(现隶属于Littelfuse)制造的功率MOSFET模块,属于绝缘双极晶体管(IGBT)和MOSFET混合模块类别。该器件专为高功率密度和高效率的应用而设计,广泛应用于工业电源、变频器、UPS(不间断电源)、焊接设备和电机驱动等领域。IDWD15G120C5集成了多个MOSFET和IGBT元件,采用先进的封装技术,具有良好的热管理和电气性能。

参数

最大漏源电压(Vds):1200V
  最大漏极电流(Id):15A
  导通电阻(Rds(on)):典型值为0.45Ω
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装形式:TO-247
  短路耐受能力:具备短路保护能力
  栅极电荷(Qg):典型值为180nC
  输入电容(Ciss):典型值为3800pF

特性

IDWD15G120C5具有优异的导通和开关性能,适用于高功率和高频率应用。其低导通电阻(Rds(on))确保了在高电流下的低功耗,提高系统效率。
  IDWD15G120C5采用先进的封装技术,确保良好的散热性能和机械稳定性,适用于高可靠性和高温度环境的应用场景。
  该器件的栅极驱动电路设计简化,降低了驱动损耗,同时具备良好的抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中使用。
  IDWD15G120C5还具备过热保护和短路保护能力,提高了系统的安全性和可靠性,减少了外部保护电路的设计复杂度。
  该模块在设计上优化了寄生电感,减少了开关过程中的电压尖峰,降低了EMI(电磁干扰)问题,有助于满足EMC标准要求。

应用

IDWD15G120C5主要应用于工业电源、变频器、不间断电源(UPS)、逆变器、电机控制、焊接设备、电镀电源、光伏逆变系统等领域。其高功率能力和高可靠性使其成为需要高效能功率开关的理想选择。此外,该器件也可用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率转换模块。

替代型号

IXYS IXFN15N120, Infineon FF15R12W1S_B11, STMicroelectronics STW15NK120Z

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