时间：2025/7/24 18:45:24
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IDWD15G120C5是一款由IXYS公司（现隶属于Littelfuse）制造的功率MOSFET模块，属于绝缘双极晶体管（IGBT）和MOSFET混合模块类别。该器件专为高功率密度和高效率的应用而设计，广泛应用于工业电源、变频器、UPS（不间断电源）、焊接设备和电机驱动等领域。IDWD15G120C5集成了多个MOSFET和IGBT元件，采用先进的封装技术，具有良好的热管理和电气性能。
最大漏源电压（Vds）：1200V
最大漏极电流（Id）：15A
导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.45Ω
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：TO-247
短路耐受能力：具备短路保护能力
栅极电荷（Qg）：典型值为180nC
输入电容（Ciss）：典型值为3800pF
IDWD15G120C5具有优异的导通和开关性能，适用于高功率和高频率应用。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流下的低功耗，提高系统效率。
IDWD15G120C5采用先进的封装技术，确保良好的散热性能和机械稳定性，适用于高可靠性和高温度环境的应用场景。
该器件的栅极驱动电路设计简化，降低了驱动损耗，同时具备良好的抗干扰能力，适合在复杂电磁环境中使用。
IDWD15G120C5还具备过热保护和短路保护能力，提高了系统的安全性和可靠性，减少了外部保护电路的设计复杂度。
该模块在设计上优化了寄生电感，减少了开关过程中的电压尖峰，降低了EMI（电磁干扰）问题，有助于满足EMC标准要求。
IDWD15G120C5主要应用于工业电源、变频器、不间断电源（UPS）、逆变器、电机控制、焊接设备、电镀电源、光伏逆变系统等领域。其高功率能力和高可靠性使其成为需要高效能功率开关的理想选择。此外，该器件也可用于电动汽车充电设备和储能系统中的功率转换模块。
IXYS IXFN15N120, Infineon FF15R12W1S_B11, STMicroelectronics STW15NK120Z
