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IDT7N65703S85PF 发布时间 时间:2025/8/20 8:19:14 查看 阅读:4

IDT7N65703S85PF 是由 Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高性能、低电压、双端口静态随机存取存储器(Static Random Access Memory, SRAM)芯片。该器件专为需要高速数据访问和低功耗应用而设计,广泛用于网络设备、通信系统、工业控制以及高性能计算等领域。IDT7N65703S85PF 采用先进的CMOS工艺制造,提供高可靠性和稳定性,适用于苛刻的工作环境。

参数

容量:128K x 64位
  电源电压:2.3V 至 3.6V
  访问时间:8.5ns
  封装类型:165引脚塑料四方扁平封装(PQFP)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  最大工作频率:约117MHz
  数据输出类型:三态输出
  接口类型:异步
  功耗(典型值):约1.0W
  封装尺寸:24mm x 24mm

特性

IDT7N65703S85PF 是一款具有多种高性能特性的SRAM芯片,其主要特性包括高速访问能力、低电压操作、低功耗设计以及适用于工业级温度范围的稳定性。
  IDT7N65703S85PF 的访问时间为8.5ns,支持高达117MHz的频率操作,能够满足高速数据处理的需求。该芯片支持异步接口模式,允许与各种主控设备(如FPGA、ASIC、DSP等)进行高效通信。
  该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V,适应多种电源设计需求,同时采用先进的CMOS工艺以降低功耗。在典型工作条件下,其功耗约为1.0W,适合对功耗敏感的应用场景。
  IDT7N65703S85PF 采用165引脚PQFP封装,尺寸为24mm x 24mm,便于在PCB上布局,同时支持-40°C至+85°C的宽温工作范围,适用于工业控制、通信基础设施和嵌入式系统等复杂环境。
  此外,该芯片具备三态输出功能,有助于减少总线冲突并提高系统稳定性。其高可靠性和稳定性使其成为高端网络设备、路由器、交换机以及其他需要高性能存储的场合的理想选择。

应用

IDT7N65703S85PF 主要应用于需要高速、低功耗和宽温度范围工作的嵌入式系统和通信设备中。其典型应用场景包括网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统中的高速数据存储、测试测量设备的数据缓冲区、以及各种需要高性能异步SRAM的嵌入式处理器系统。此外,该芯片也适用于需要实时数据处理和高速缓存的FPGA和ASIC设计项目,广泛用于航空航天、通信基础设施、汽车电子(如高级驾驶辅助系统)和医疗设备等领域。

替代型号

CY7C1515KV18-100BZC, IDT70V65703S85PF, AS7C312865C-8TIN

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