IDT7164S35TDB 时间：2025/6/27 17:21:37 阅读：40

IDT7164S35TDB 是由 Integrated Device Technology（IDT）公司生产的一款高速静态随机存取存储器（SRAM），属于异步SRAM类别。该芯片具有高性能和低功耗的特点，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。IDT7164S35TDB 采用标准的48引脚TSOP封装形式，广泛应用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统中。
　　IDT7164S35TDB 的容量为64K x 8位，即总共可以存储64KB的数据。其最大访问时间（tRC）为35纳秒，意味着它可以在非常短的时间内完成一次完整的读写操作，适合用于缓存、缓冲区或需要频繁快速读写数据的场合。该器件支持工作温度范围较广，通常为工业级温度范围（-40°C至+85°C），使其在各种环境下都能稳定运行。
　　这款SRAM不需要外部时钟信号进行同步，因此使用起来较为灵活，尤其适合于设计简单且对速度有一定要求的应用场景。

参数

类型：异步SRAM
　　容量：64K x 8位（512Kb）
　　封装形式：48引脚TSOP
　　最大访问时间：35ns
　　电源电压：3.3V 或 5V（根据具体版本）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　接口类型：并行接口
　　数据宽度：8位
　　封装尺寸：标准TSOP封装尺寸
　　功耗：低功耗CMOS工艺

特性

IDT7164S35TDB具备多项优异的性能特征，首先其高速访问时间为35纳秒，这意味着它可以提供非常快速的数据存取能力，满足大多数高速系统的需求。该SRAM采用先进的CMOS制造工艺，在保证高速度的同时实现了较低的功耗，适用于电池供电设备或对能耗敏感的应用环境。
　　其次，IDT7164S35TDB 具有良好的电气稳定性与可靠性，能够在宽温范围内稳定运行，适用于苛刻的工作条件，例如户外设备、车载系统及工业自动化控制系统等。此外，由于其异步操作模式，无需与时钟信号同步，简化了电路设计，并减少了对外部时序控制的要求，提高了系统的灵活性。
　　该芯片还提供了强大的抗干扰能力和较高的噪声抑制性能，确保在复杂电磁环境中仍能保持数据的完整性。同时，其并行数据总线结构允许直接连接到微处理器或其他控制器，便于系统集成。IDT7164S35TDB 支持多种电压版本，包括3.3V和5V，能够兼容不同平台的设计需求，提升设计的通用性和适应性。

应用

IDT7164S35TDB SRAM因其高速、低功耗和工业级温度耐受能力，被广泛应用于多个领域。常见的应用包括工业控制系统中的数据缓存、通信设备中的临时存储单元、网络路由器和交换机的缓冲区管理、测试测量仪器的数据暂存等。
　　在嵌入式系统中，该芯片常作为外部存储器扩展，用于存放实时操作系统、程序代码或关键变量信息。此外，由于其非易失性依赖于持续供电，IDT7164S35TDB 还可用于实现带电池备份的数据存储方案，如智能电表、医疗设备、安防监控设备等需长期保存关键数据的场合。
　　在航空航天和军事电子领域，该芯片也因其高可靠性和宽温适应性而受到青睐，可应用于飞行控制系统、导航设备、雷达系统等关键部件中。