IDT7164S20TDB 时间：2025/4/30 14:32:55 阅读：18

IDT7164S20TDB是一种静态RAM（SRAM）芯片，属于IDT公司生产的高速、低功耗存储器系列。该器件具有64K x 8位的存储容量，支持快速读写操作，广泛应用于需要高数据吞吐量和稳定性能的系统中。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具有低功耗特性和出色的电气性能。它兼容多种总线架构，适合用作高速缓冲存储器或临时数据存储。此外，IDT7164S20TDB提供工业级工作温度范围，确保在各种环境下的可靠运行。

参数

存储容量：64K x 8位
　　访问时间：10 ns
　　供电电压：5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TQFP
　　数据保持时间：无限
　　功耗：典型值200 mW
　　引脚数：44
　　输入输出配置：三态输出

特性

IDT7164S20TDB具有以下主要特性：
　　1. 高速访问时间，能够满足实时处理的需求。
　　2. 内置自刷新功能，确保数据完整性。
　　3. 支持异步读写操作，简化了与外部处理器的接口设计。
　　4. 提供全面的数据保护机制，避免因电源波动导致的数据丢失。
　　5. 兼容JEDEC标准，便于与其他系统组件集成。
　　6. 工业级温度范围，适应恶劣的工作环境。
　　7. CMOS工艺制造，具备低功耗优势。

应用

IDT7164S20TDB适用于多种高性能电子系统，包括但不限于：
　　1. 工业控制设备中的高速缓存存储。
　　2. 通信设备中的数据缓冲。
　　3. 医疗仪器中的临时数据存储。
　　4. 嵌入式系统中的程序和数据存储。
　　5. 测试测量设备中的高速数据采集与处理。
　　该芯片凭借其高速度和稳定性，在需要频繁读写操作的应用场景中表现尤为突出。