IDT7164L25DB 时间：2025/6/29 22:51:06 阅读：15

IDT7164L25DB是一款高速静态随机存取存储器（SRAM），由Integrated Device Technology（IDT）公司制造。该芯片属于高性能CMOS SRAM系列，适用于需要快速数据访问和低功耗的应用场景。IDT7164L25DB采用3.3V电源供电，并具有高速存取时间，典型存取时间为25纳秒。该器件采用双片选（CE1和CE2）设计，支持高效的地址解码和系统集成。

参数

容量：64K x 8位
　　电压：3.3V
　　存取时间：25ns
　　封装类型：28引脚SSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　组织结构：8位数据总线
　　封装尺寸：标准28引脚SSOP

特性

IDT7164L25DB SRAM芯片具备多项优异特性，首先其25纳秒的存取时间确保了在高速数据处理应用中的高效性能，非常适合用于缓存、临时数据存储等对速度要求较高的场合。
　　其次，该芯片采用了低功耗CMOS技术，在保持高性能的同时有效降低了功耗，使其适用于电池供电或对功耗敏感的设计中。
　　此外，IDT7164L25DB使用3.3V单电源供电，简化了电源设计，并且与TTL逻辑电平兼容，便于与其他数字电路连接。
　　其双片选信号（CE1和CE2）允许灵活的片选控制，使得多芯片系统中的地址解码更加高效可靠。
　　该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），适合各种严苛环境下的稳定运行。
　　最后，采用28引脚SSOP封装形式，不仅提供了良好的电气性能，还节省了PCB空间，便于高密度布局。

应用

IDT7164L25DB被广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备、测试测量仪器以及便携式电子产品等领域。
　　在嵌入式系统中，该SRAM可作为微控制器或数字信号处理器的外部高速缓存存储器，提升系统响应速度和数据处理能力。
　　在工业控制系统中，IDT7164L25DB可用于实时数据采集与缓冲，确保系统在复杂环境下依然稳定运行。
　　在网络设备方面，该芯片适用于路由器、交换机等设备的数据包缓存，以提高数据转发效率。
　　在测试测量设备中，它可用于临时存储采样数据或程序代码，确保数据不丢失并能快速读取。
　　同时，由于其低功耗和小型化设计，IDT7164L25DB也适用于手持设备、智能传感器等便携式电子系统。