IDT7130LA25TF是一款由Integrated Device Technology(IDT)公司制造的高速静态随机存取存储器(SRAM),采用异步设计,容量为4K x 8位(即总共32Kbit)。该芯片适用于需要高速数据存取和低延迟的场景,广泛应用于通信设备、工业控制系统、网络设备及嵌入式系统中。IDT7130LA25TF采用CMOS工艺制造,具有低功耗、高速度和高可靠性等优点。
容量:32Kbit(4K x 8位)
电源电压:4.5V至5.5V
访问时间:25ns
工作温度范围:工业级-40°C至+85°C
封装类型:28引脚TSOP(Thin Small Outline Package)
封装尺寸:约11.8mm x 8.0mm
最大功耗:典型值150mA
数据保持电压:最低3.0V(用于数据保持模式)
封装材料:无铅环保材料(符合RoHS标准)
IDT7130LA25TF具有多项优异的性能特点。首先,其高速访问时间为25ns,能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求,例如实时控制系统和高速缓存。其次,该芯片支持异步操作,无需依赖时钟信号,使得其在多种系统架构中具有良好的兼容性。此外,IDT7130LA25TF采用CMOS工艺制造,具有较低的功耗,适合用于对能耗敏感的嵌入式设备。该芯片还具备数据保持模式,在电源电压降至3.0V时仍能保持数据不丢失,适用于需要长时间保存数据的场合。其TSOP封装形式不仅体积小巧,而且具备良好的散热性能,适合用于空间受限的高密度电路板设计。最后,该芯片支持宽温度范围(-40°C至+85°C)工作,确保其在极端环境下的稳定性和可靠性,适用于工业和车载环境。
IDT7130LA25TF广泛应用于多种需要高速存储的系统中。在通信设备中,它常被用作数据缓冲存储器,用于临时存储传输过程中的数据包。在工业控制系统中,它可以作为高速缓存,提高系统响应速度和运行效率。此外,该芯片也常用于嵌入式系统的临时数据存储,例如在智能仪表、工业自动化设备和测试设备中提供快速的数据访问能力。由于其低功耗和数据保持特性,IDT7130LA25TF也适用于电池供电设备和需要长时间运行的系统。在网络设备中,如路由器和交换机,该芯片可用于存储路由表和缓存数据包,提高设备的处理能力。
ISSI IS61LV25616A-25BLLI-S2, Cypress CY62148BLL-45ZS, Microchip 23K256-I/P