时间：2025/5/30 23:15:09
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IDT71256S55TDB是集成双端口静态随机存取存储器（SRAM）芯片，采用CMOS技术制造。该器件具有高可靠性、低功耗和快速访问时间等特性，适合需要高性能数据交换的应用场景。
这款芯片提供独立的A/B端口，允许两个控制器同时访问同一内存区域而不产生冲突。每个端口都包含独立的数据总线、地址总线和控制信号，确保灵活的系统设计。
容量：512K x 18
工作电压：1.7V 至 1.9V
访问时间：5ns
接口类型：双端口
封装形式：TQFP-100
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据保持时间：无限
功耗：典型值为 250mW
IDT71256S55TDB的主要特性包括：
1. 高速操作能力，支持5ns的快速访问时间。
2. 双端口设计，使两个处理器或控制器可以同时访问内存而无需仲裁。
3. 内置奇偶校验功能，增强了数据传输的可靠性。
4. CMOS工艺制造，降低功耗并提高性能。
5. 支持多种电源电压范围，适应不同系统需求。
6. 广泛的工作温度范围，适用于工业级和商业级应用。
7. 数据保持时间无限制，确保断电后数据完整性。
IDT71256S55TDB广泛应用于以下领域：
1. 通信设备：如路由器、交换机和基站中用于数据缓冲和临时存储。
2. 嵌入式系统：用于多处理器架构中的共享内存。
3. 工业自动化：在实时控制系统中作为高速缓存。
4. 图形处理单元（GPU）：用作帧缓冲区以实现快速图像渲染。
5. 医疗设备：如超声波和CT扫描仪中的数据暂存。
6. 汽车电子：如导航系统和信息娱乐系统的高速数据处理。
IDT71V256S55TDB, IDT72V256S55TDB
