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IDT70261S35PF 发布时间 时间:2025/12/25 13:42:12 查看 阅读:27

IDT70261S35PF是Integrated Device Technology(IDT)公司生产的一款高速双端口静态随机存取存储器(Dual-Port SRAM)芯片。该器件属于IDT的高性能双端口存储器系列,专为需要高带宽、低延迟和并行数据访问的应用而设计。IDT70261S35PF采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗与高可靠性的特点,适用于通信、网络、工业控制以及实时数据处理系统等对性能要求严苛的场合。
  IDT70261S35PF的存储容量为64K x 16位(即1M位),组织方式为两个独立的32K x 16位端口,允许两个系统或处理器同时访问同一存储阵列而无需仲裁延迟。每个端口均具备独立的地址、数据总线和控制信号,支持异步读写操作,并可在不同时钟域下运行,从而实现真正的并行操作能力。该芯片的工作电压为5V,兼容TTL电平接口,便于与传统逻辑电路和微处理器集成。
  封装方面,IDT70261S35PF采用标准的84引脚PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier)封装,符合行业通用规范,适用于通孔或表面贴装工艺。其工作温度范围通常为商业级(0°C至+70°C),满足大多数室内电子设备的环境要求。此外,该器件还具备输出使能控制、片选控制和全局中断等功能,增强了系统的灵活性和可配置性。

参数

型号:IDT70261S35PF
  制造商:Integrated Device Technology (IDT)
  存储容量:64K x 16位
  组织结构:32K x 16位/端口,双端口SRAM
  电源电压:5V ± 5%
  访问时间:35ns
  工作温度:0°C 至 +70°C
  封装类型:84引脚PLCC
  接口类型:异步,TTL兼容
  读写模式:双异步端口
  数据总线宽度:16位/端口
  地址总线宽度:15位/端口
  功耗(典型值):约500mW
  控制信号:片选(CS)、输出使能(OE)、写使能(WE)等

特性

IDT70261S35PF的核心特性在于其真正的双端口架构设计,使得两个独立的主机系统可以同时对同一存储体进行读写操作而不会发生冲突。每个端口都拥有完全独立的地址、数据和控制总线,支持全双工异步访问,极大提升了数据吞吐能力和系统响应速度。这种并行访问机制特别适用于需要高速数据交换的场景,如多处理器系统、DMA控制器间的数据缓冲、通信交换机中的帧缓存等应用。
  该芯片内置硬件仲裁逻辑和标志位机制(Flag Logic),用于协调两个端口之间的访问优先级和状态同步。标志位包括BUSY、INTERRUPT和MAILBOX功能,能够有效防止数据竞争,并提供跨端口通信手段。例如,当一端口正在访问某内存区域时,可通过设置BUSY标志通知另一端口暂停访问,确保数据一致性。MAILBOX寄存器则可用于传递控制信息或状态消息,增强系统间的协同能力。
  在性能方面,IDT70261S35PF具备35纳秒的快速访问时间,能够在高频系统中保持稳定的数据传输速率。其CMOS工艺不仅保证了高速运行下的稳定性,也显著降低了静态和动态功耗,适合长时间连续工作的工业和通信设备。此外,该器件支持低功耗待机模式,在非活跃状态下自动进入节能状态,进一步优化整体能效。
  电气特性上,IDT70261S35PF采用5V供电,所有输入输出引脚均兼容TTL电平标准,可以直接连接到多种微处理器、DSP或FPGA器件,无需额外的电平转换电路。这大大简化了系统设计复杂度,缩短了开发周期。同时,其84引脚PLCC封装具有良好的散热性能和机械可靠性,适用于高密度PCB布局和恶劣工作环境。
  值得一提的是,IDT70261S35PF还具备优异的抗干扰能力和数据保持特性,在断电或异常情况下仍能维持存储内容一段时间。配合外部电池供电的备用电源方案,可实现非易失性存储功能,适用于关键数据保护场合。综合来看,这款双端口SRAM以其高性能、高可靠性和灵活的接口设计,成为许多高端嵌入式系统中不可或缺的关键组件。

应用

IDT70261S35PF广泛应用于需要高速、双向、并发数据访问的电子系统中。典型应用场景包括电信基础设施设备,如ATM交换机、路由器和基站控制器,其中它被用作数据包缓冲区或信令队列存储器,实现主处理器与网络协处理器之间的高效数据共享。在工业自动化领域,该芯片常用于PLC(可编程逻辑控制器)和运动控制系统中,作为多个控制单元之间的共享内存,提升实时响应能力。
  在测试与测量仪器中,IDT70261S35PF可用于高速数据采集系统的前端缓存,使主控CPU与ADC/DAC模块能够并行工作,避免数据丢失。同样,在雷达信号处理、视频图像处理系统中,该器件可作为帧存储器或中间结果暂存区,支持双通道并行读写,提高图像处理效率。
  此外,该芯片也常见于军用和航空航天电子系统中,因其具备较高的稳定性和抗干扰能力,适合在复杂电磁环境中长期运行。在医疗成像设备如超声波机或CT扫描仪中,IDT70261S35PF可用于图像数据的临时存储与传输,保障图像流的连续性和完整性。
  由于其双端口特性,该器件还可用于构建共享内存多处理器架构(Shared-Memory Multiprocessing),特别是在嵌入式实时操作系统中,作为任务间通信(IPC)的物理层基础。通过合理配置中断和邮箱机制,多个处理器可以安全地交换控制命令和状态信息,实现高效的协同计算。总之,凡是需要两个系统共享大量数据且对延迟敏感的应用,IDT70261S35PF都是一个理想的选择。

替代型号

IS61WV25616BLL-10BLI
  CY7C1361AV25-35BZXC
  SNAS139E
  IDT70261L35PF

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IDT70261S35PF参数

  • 标准包装45
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭存储器
  • 系列-
  • 格式 - 存储器RAM
  • 存储器类型SRAM - 双端口,异步
  • 存储容量256K(16K x 16)
  • 速度35ns
  • 接口并联
  • 电源电压4.5 V ~ 5.5 V
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳100-LQFP
  • 供应商设备封装100-TQFP(14x14)
  • 包装托盘
  • 其它名称70261S35PF