类型：八位透明D型锁存器
　　系列：FCT
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　逻辑高电平输入电压（VIH）：2.0V 最小值
　　逻辑低电平输入电压（VIL）：0.8V 最大值
　　输出类型：三态
　　输出电流：±24mA（输出驱动能力）
　　传播延迟时间（tpd）：约5.5ns（典型值）
　　时钟到输出延迟（tCQ）：约5.5ns
　　建立时间（tsu）：约2.5ns
　　保持时间（th）：约1.5ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：20引脚 TSSOP 或 SOIC
　　每封装单元数：1
　　输入触发电平：电平触发（Latch Enable 使能）
　　最大时钟频率：支持高达100MHz的数据锁存操作
　　静态电流（ICC）：典型值为10mA（最大值约25mA）
　　总线保持功能：无（需外部上拉/下拉电阻确保未驱动引脚状态）

IDT54FCT373TDB的核心特性之一是其高速的CMOS技术与TTL电平兼容性的完美结合，使其能够在保持低功耗的同时提供强大的驱动能力和快速的开关响应。该器件采用先进的BiCMOS工艺设计，显著降低了传输延迟并提高了噪声抑制能力。其八位透明锁存结构意味着当锁存使能（LE）信号为高电平时，输出会实时跟随输入数据的变化；而当LE变为低电平时，当前输入数据被锁定并保持在输出端，即使输入发生变化也不会影响已锁存的数据。这种电平触发机制非常适合用于地址锁存、数据缓冲和总线隔离等场合。三态输出功能通过输出使能（OE）引脚控制，当OE为低电平时，输出有效；当OE为高电平时，输出进入高阻态，允许多个器件共享同一总线而不发生冲突。
　　另一个重要特性是其出色的电气性能。该芯片具有低传播延迟（典型5.5ns），支持高频操作，适用于高速数字系统中的实时数据采集与处理。其输出可驱动多达15个LSTTL负载，具备较强的扇出能力，减少了对外部驱动电路的需求。此外，器件内部集成了下拉电阻，有助于防止输入悬空导致的不确定状态，提升系统稳定性。IDT54FCT373TDB还具备良好的ESD保护能力（超过2000V HBM），增强了在实际应用中的抗干扰能力和可靠性。由于采用小型化表面贴装封装，该芯片非常适合空间受限的设计，并支持自动化贴片生产流程，有利于提高制造效率和产品一致性。

IDT54FCT373TDB广泛应用于需要高速数据锁存与缓冲的各种数字电子系统中。在计算机和微处理器系统中，常用于地址锁存器，将地址总线上的信息在特定时刻锁存，以便后续的内存或I/O设备访问。在工业控制系统中，该器件可用于PLC模块中的输入/输出数据暂存，确保控制信号的稳定传输。通信设备如路由器、交换机和基站中也使用该芯片进行并行数据路径的缓冲与隔离，防止信号回流干扰。在测试测量仪器中，IDT54FCT373TDB可用于数据采集系统的前端锁存，保证采样时刻的数据完整性。此外，它还可用于数字信号处理系统、嵌入式控制器、打印机接口电路以及各类需要总线管理的外围设备中。
　　由于其三态输出特性，该芯片特别适用于多主控或多从设备共享总线的架构，例如在并行总线系统中作为数据缓冲器，协调不同速度模块之间的数据交换。在存储器扩展电路中，它可以用来锁存低位地址信息，配合地址解码器实现存储空间的有效划分。在LED显示控制系统或数码管驱动电路中，该锁存器也可用于稳定段码或位选信号，避免显示闪烁。此外，在FPGA或CPLD外围接口设计中，IDT54FCT373TDB常被用作电平转换与驱动增强器件，弥补可编程逻辑器件输出驱动能力不足的问题。其工业级温度范围和高可靠性也使其适用于户外设备、车载电子和航空航天等严苛环境下的应用。

SN74FCT373A
　　CD74FCT373E
　　74ACT373
　　MB84FCT373AP