时间：2025/7/16 18:53:04
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IDH02G65C5 是一款由 Infineon（英飞凌）推出的碳化硅（SiC）肖特基二极管，专为高效率、高频率的电力电子应用设计。该器件采用宽禁带半导体技术，具有较低的正向压降和极快的开关特性，适用于太阳能逆变器、电动汽车充电系统、工业电源以及高效率 DC-DC 转换器等场合。
类型：碳化硅（SiC）肖特基二极管
最大重复反向电压（VRRM）：650V
平均正向电流（IF(AV)）：2A
峰值正向电流（IFSM）：40A（t=10ms）
正向压降（VF）：1.55V（@ IF=2A）
反向漏电流（IR）：100μA（@ VR=650V）
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装形式：TO-220
IDH02G65C5 具备多项优异的电气和热性能。首先，其采用碳化硅材料，显著降低了正向压降和开关损耗，从而提高了整体系统效率。其次，该器件具有非常快的恢复时间，几乎为零的反向恢复电荷（Qrr），极大减少了开关过程中的能量损耗，特别适用于高频开关应用。
此外，IDH02G65C5 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 +175°C，能够在恶劣环境下稳定运行，提升了系统的可靠性和耐久性。其封装形式为 TO-220，具备良好的散热能力和机械稳定性，便于安装和散热设计。
由于碳化硅器件的特性，该二极管在高温工作时仍能保持较低的导通损耗，降低了对散热系统的要求，有助于减小电源系统的体积和重量。同时，该器件无反向恢复电流，减少了电磁干扰（EMI），有助于简化滤波电路的设计。
IDH02G65C5 还具有高浪涌电流承受能力，可在短时过载条件下保持稳定工作，提升了系统的鲁棒性和安全性。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保要求较高的应用。
IDH02G65C5 广泛应用于需要高效能、高频开关和高温稳定性的电力电子系统中。典型应用包括太阳能逆变器中的升压二极管、电动汽车充电系统中的整流与续流元件、工业电源中的高频整流器、高效率 AC-DC 和 DC-DC 转换器，以及各类需要高可靠性和高效率的功率因数校正（PFC）电路。
在太阳能逆变器中，该器件可以有效提升系统效率并减小散热器体积；在电动汽车充电系统中，其高频特性和低损耗特性有助于实现更紧凑的电源设计；在工业电源中，可用于构建高效率的整流和滤波电路；在高频开关电源中，IDH02G65C5 可显著降低开关损耗，提高整体能效。
此外，该器件还可用于电机驱动、不间断电源（UPS）、储能系统和工业自动化设备等高要求应用中，满足现代电力电子系统对高效率、高可靠性和小型化的需求。
IDA02G65C5, IDW02G65C5, 1EDH02I065B12H
