时间：2025/6/24 4:29:00
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ICVE21184E150R201FR 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等场景。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高耐压和快速开关速度等特点，可显著提升电路效率并降低功耗。
这款器件专为需要高可靠性和高效能的应用而设计，能够承受较高的电流负载，同时保持较低的发热水平。
型号：ICVE21184E150R201FR
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vdss)：650V
连续漏极电流(Id)：150A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
栅极电荷(Qg)：220nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：D2PAK(TO-263)
ICVE21184E150R201FR 提供了卓越的电气性能和热性能。它采用了最新的硅技术，以实现低导通电阻和高效率。其大电流承载能力和高耐压特性使得该器件非常适合用于高功率应用环境。
此外，该芯片还具备快速开关能力，能够有效减少开关损耗，并支持高频操作。内置的保护机制增强了其在恶劣条件下的可靠性。其出色的散热设计使其能够在高负载下长时间稳定运行。
主要特性包括：
- 极低的导通电阻确保高效率
- 高耐压值保证系统稳定性
- 快速开关速度降低能耗
- 宽温度范围适应各种工作环境
- 强大的散热性能支持高功率应用
ICVE21184E150R201FR 广泛应用于以下领域：
- 开关模式电源(SMPS)
- 工业电机驱动
- 太阳能逆变器
- 电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)的电力系统
- 不间断电源(UPS)
- 高频DC-DC转换器
由于其优异的性能和可靠性，这款芯片已成为许多高功率密度应用中的首选解决方案。
ICVE21184E150R201GR
IRFP2907
FDP18N65C
STP150N65M5
