时间：2025/8/10 9:14:25
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ICE65P04F-TCB121C 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）推出的一款高性能功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件专为高效率、高频开关应用设计，广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类功率电子系统中。ICE65P04F-TCB121C 采用了先进的CoolMOS?技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、低开关损耗和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。
类型：功率MOSFET
技术：CoolMOS?
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：4A
导通电阻（RDS(on)）：最大1.25Ω
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：PG-TO263-2（D2PAK）
功率耗散（Ptot）：80W
导通延迟时间（td(on)）：8ns
关断延迟时间（td(off)）：22ns
ICE65P04F-TCB121C 的核心优势在于其采用了英飞凌领先的CoolMOS?技术，这种技术显著降低了器件的导通电阻和开关损耗，从而提升了整体能效。其导通电阻（RDS(on)）仅为1.25Ω，这意味着在导通状态下，器件的电压降较小，从而减少了功耗和发热。此外，该MOSFET具备出色的热管理能力，能够在高温条件下保持稳定运行，延长器件的使用寿命。
该器件的开关特性也非常优秀，导通延迟时间（td(on)）为8ns，关断延迟时间（td(off)）为22ns，这使得它非常适合用于高频开关应用，如开关电源（SMPS）和DC-DC转换器。在这些应用中，快速的开关速度可以减少能量损耗，提高系统效率。
ICE65P04F-TCB121C 的封装形式为PG-TO263-2（D2PAK），这种封装方式具有良好的散热性能，适合需要高功率密度的设计。同时，该MOSFET的栅源电压范围为±20V，提供了更高的驱动灵活性，能够在多种栅极驱动电路中稳定工作。
ICE65P04F-TCB121C 被广泛应用于多个高功率电子系统中，尤其适合于需要高效能、高频开关操作的场景。它常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、光伏逆变器、电机驱动和工业自动化控制系统等。在这些应用中，该MOSFET可以有效降低能量损耗，提高系统的整体效率和可靠性。
在开关电源设计中，该器件可以作为主开关元件，负责高效地将输入电源转换为所需的输出电压。在DC-DC转换器中，它能够实现高效的电压转换，适用于车载电子、通信设备和工业控制系统等领域。此外，该MOSFET在光伏逆变器中的应用能够提高能源转换效率，减少能量损失，从而提升太阳能系统的整体性能。
由于其优异的开关性能和热稳定性，ICE65P04F-TCB121C 也适用于各种电机控制应用，如电动工具、风扇和泵的驱动控制，能够在高频率下稳定运行，减少电机的能耗和发热。
SPA15N60C3, IPA60R125P6
