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ICE65P04F-TCB121C 发布时间 时间:2025/8/10 9:14:25 查看 阅读:21

ICE65P04F-TCB121C 是由 Infineon Technologies(英飞凌科技)推出的一款高性能功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该器件专为高效率、高频开关应用设计,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及各类功率电子系统中。ICE65P04F-TCB121C 采用了先进的CoolMOS?技术,具有低导通电阻(RDS(on))、低开关损耗和优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。

参数

类型:功率MOSFET
  技术:CoolMOS?
  漏源电压(VDS):650V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):4A
  导通电阻(RDS(on)):最大1.25Ω
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装形式:PG-TO263-2(D2PAK)
  功率耗散(Ptot):80W
  导通延迟时间(td(on)):8ns
  关断延迟时间(td(off)):22ns

特性

ICE65P04F-TCB121C 的核心优势在于其采用了英飞凌领先的CoolMOS?技术,这种技术显著降低了器件的导通电阻和开关损耗,从而提升了整体能效。其导通电阻(RDS(on))仅为1.25Ω,这意味着在导通状态下,器件的电压降较小,从而减少了功耗和发热。此外,该MOSFET具备出色的热管理能力,能够在高温条件下保持稳定运行,延长器件的使用寿命。
  该器件的开关特性也非常优秀,导通延迟时间(td(on))为8ns,关断延迟时间(td(off))为22ns,这使得它非常适合用于高频开关应用,如开关电源(SMPS)和DC-DC转换器。在这些应用中,快速的开关速度可以减少能量损耗,提高系统效率。
  ICE65P04F-TCB121C 的封装形式为PG-TO263-2(D2PAK),这种封装方式具有良好的散热性能,适合需要高功率密度的设计。同时,该MOSFET的栅源电压范围为±20V,提供了更高的驱动灵活性,能够在多种栅极驱动电路中稳定工作。

应用

ICE65P04F-TCB121C 被广泛应用于多个高功率电子系统中,尤其适合于需要高效能、高频开关操作的场景。它常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、光伏逆变器、电机驱动和工业自动化控制系统等。在这些应用中,该MOSFET可以有效降低能量损耗,提高系统的整体效率和可靠性。
  在开关电源设计中,该器件可以作为主开关元件,负责高效地将输入电源转换为所需的输出电压。在DC-DC转换器中,它能够实现高效的电压转换,适用于车载电子、通信设备和工业控制系统等领域。此外,该MOSFET在光伏逆变器中的应用能够提高能源转换效率,减少能量损失,从而提升太阳能系统的整体性能。
  由于其优异的开关性能和热稳定性,ICE65P04F-TCB121C 也适用于各种电机控制应用,如电动工具、风扇和泵的驱动控制,能够在高频率下稳定运行,减少电机的能耗和发热。

替代型号

SPA15N60C3, IPA60R125P6

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ICE65P04F-TCB121C参数

  • 标准包装490
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列)
  • 系列iCE65™ P
  • LAB/CLB数440
  • 逻辑元件/单元数3520
  • RAM 位总计81920
  • 输入/输出数95
  • 门数-
  • 电源电压1.14 V ~ 1.26 V
  • 安装类型表面贴装
  • 工作温度0°C ~ 70°C
  • 封装/外壳121-VFBGA,CSBGA
  • 供应商设备封装121-CSPBGA(6x6)