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IC61C256AH-10N 发布时间 时间:2025/12/28 18:08:03 查看 阅读:31

IC61C256AH-10N 是由 Integrated Circuit Solution(ISSI)公司生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为256Kbit(32K x 8)。这款SRAM芯片以其高速度和低功耗特性广泛应用于需要快速数据存取的系统中,如通信设备、网络设备、工业控制系统以及嵌入式系统。IC61C256AH-10N 采用标准的异步SRAM架构,兼容多种系统接口,具有良好的通用性和可靠性。

参数

存储容量:256Kbit (32K x 8)
  组织结构:8位数据总线(x8)
  访问时间:10ns
  电源电压:3.3V 或 5V 可选
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:28引脚 TSOP(Thin Small Outline Package)
  最大工作频率:约100MHz(基于访问时间计算)
  封装尺寸:约5.4mm x 18.4mm
  输入/输出电平:TTL/CMOS 兼容
  数据保持电压:最低2V以保持数据不丢失
  功耗(典型值):约200mA(工作模式),待机模式下小于10mA

特性

IC61C256AH-10N 是一款高性能的异步SRAM芯片,其主要特性包括高速访问时间和宽电压操作范围。该芯片支持3.3V和5V两种电源供电模式,能够适应不同系统的电源要求,增强了其在不同应用环境下的兼容性。
  该芯片的访问时间为10ns,支持高达100MHz的外部时钟频率,适用于对响应速度要求较高的系统应用。此外,IC61C256AH-10N 采用了CMOS制造工艺,具有较低的功耗特性,在待机模式下电流消耗极低,有助于延长便携设备的电池寿命。
  该SRAM芯片具备工业级温度耐受范围(-40°C 至 +85°C),适合在严苛的工业环境或户外设备中使用。其TSOP封装形式具有较小的封装尺寸和良好的散热性能,适用于空间受限的高密度PCB设计。
  IC61C256AH-10N 支持TTL和CMOS电平输入,兼容多种控制器接口,降低了系统设计的复杂性。其数据保持电压低至2V,确保在电源波动或低功耗状态下数据不丢失,提升了系统的稳定性和可靠性。

应用

IC61C256AH-10N 主要用于需要快速数据存取的各类电子设备中,例如:
  1. 通信设备:用于缓存和临时存储数据,如路由器、交换机和基站控制器等。
  2. 工业控制:作为PLC(可编程逻辑控制器)和工业计算机的高速缓存存储器。
  3. 嵌入式系统:用于ARM、MIPS等嵌入式处理器的高速数据缓存或程序存储。
  4. 测试仪器:作为高速数据采集和处理设备的临时存储器。
  5. 网络设备:在网关、防火墙等设备中用作数据缓冲存储器。
  6. 消费类电子产品:如打印机、扫描仪、智能家电等需要高速数据处理的设备。

替代型号

ISSI IC61C256AH-10N的替代型号包括:ISSI IC61LV256AL-10T、ISSI IC61C256AH-10N的替代型号包括:ISSI IC61LV256AL-10T、Cypress CY62256NLL-55SC、ON Semiconductor MK48T02-200PC1、Renesas IDT71V416SA10PFGI、Alliance Memory AS6C256_10VIN、Microchip 23K256-I/P

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