时间：2025/5/23 5:54:15
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IAUT165N08S5N029 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率功率转换和开关应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能，广泛应用于工业、汽车及消费电子领域。
最大漏源电压：80V
连续漏极电流：165A
导通电阻：1.3mΩ
栅极电荷：85nC
输入电容：4570pF
工作温度范围：-55℃ to 175℃
IAUT165N08S5N029 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有效降低了功率损耗。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，减少开关损耗。
4. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 符合 AEC-Q101 标准，确保在汽车环境中的耐用性。
6. 小型封装设计，节省 PCB 空间。
这些特性使 IAUT165N08S5N029 成为高效功率管理的理想选择。
这款 MOSFET 主要应用于以下领域：
1. 汽车电子系统，如电动助力转向 (EPS) 和制动系统。
2. 工业电机驱动和控制。
3. DC/DC 转换器和逆变器。
4. 开关电源 (SMPS)。
5. 太阳能微逆变器和其他可再生能源设备。
其强大的电流承载能力和低功耗特性使其成为多种高要求应用场合下的优选方案。
IPA60R069P7_S_D2PAK
IPW150R090CE_S_TOLL
