时间：2025/4/28 15:58:04
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IAUC120N04S6N009 是一款基于氮化硅（Si3N4）技术的高性能 MOSFET 芯片，主要应用于高频开关电路和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式结构设计，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为标准 TO-247 或 D2PAK，具体取决于制造商的工艺优化。
额定电压：400V
额定电流：120A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：55nC
反向恢复时间：12ns
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
IAUC120N04S6N009 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，确保在高电流应用中减少功耗。
2. 高速开关性能，适用于高频功率变换器。
3. 先进的氮化硅技术显著提高了芯片的耐热性和可靠性。
4. 内置过温保护功能，增强系统安全性。
5. 支持硬开关和软开关拓扑，灵活性强。
6. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
IAUC120N04S6N009 广泛应用于以下领域：
1. 太阳能逆变器中的 DC-AC 功率转换。
2. 电动车驱动系统的电机控制器。
3. 工业级高频开关电源 (SMPS)。
4. 不间断电源 (UPS) 系统。
5. 各类大功率 LED 驱动电路。
6. 电力电子设备中的功率因数校正 (PFC) 模块。
IAUC100N04S6N008, IAUC150N04S6N010
