类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：210A
　　漏源极最大电压（VDS）：100V
　　栅源极最大电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：5mΩ（典型值）
　　功率耗散：240W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-263（D2PAK）

IAUA210N10S5N024 MOSFET具有极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够显著降低功率损耗并提高效率。其先进的硅技术确保了快速的开关性能，减少了开关过程中的能量损耗。此外，该器件具备较高的热稳定性和耐用性，能够在严苛的环境条件下长期工作。TO-263封装提供了良好的散热性能，使器件能够在高功率条件下保持较低的工作温度。此外，该MOSFET具有较高的抗雪崩能力和过载保护功能，确保在异常工作条件下的可靠性与安全性。其栅极设计优化了驱动特性，减少了驱动电路的复杂性并提高了整体系统的稳定性。
　　该器件还支持并联使用，进一步扩展了其在高功率应用中的适用性。此外，IAUA210N10S5N024在高频工作条件下表现出色，使其非常适合用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等要求高动态响应的应用场景。其低电容设计也降低了高频开关时的损耗，提高了系统效率。

IAUA210N10S5N024广泛应用于各类高功率电子设备中，如工业电源、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及汽车电子系统。此外，该器件也非常适合用于高功率LED照明、太阳能逆变器和不间断电源（UPS）等高效能电源管理应用。由于其优异的开关性能和高可靠性，它在现代电力电子系统中扮演着关键角色，尤其是在需要高效率和高稳定性的场合。

IXFX210N10P
　　IXTH210N10P