时间：2025/8/6 16:04:42
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IAS010ZG 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，专为高效率功率转换应用而设计。这款 MOSFET 在电源管理、电机控制和 DC-DC 转换器等应用中表现优异。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏极电流（ID）：10A
最大漏极-源极电压（VDS）：100V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω @ VGS=10V
功率耗散（PD）：60W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-220AB
IAS010ZG MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性，使其在高频率开关应用中表现出色。该器件采用了先进的平面技术，提供了出色的热稳定性和可靠性。
其低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，从而提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 的快速开关特性减少了开关损耗，非常适合高频应用。
IAS010ZG 还具有良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。该器件的封装设计（TO-220AB）便于散热，提高了器件的耐用性和可靠性。
此外，该 MOSFET 具有宽泛的工作温度范围，适合在各种环境条件下使用。其高耐压特性（VDS=100V）使其适用于多种高压应用，如电机驱动和功率放大器。
IAS010ZG 常用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制、电池管理系统、功率放大器和工业自动化设备等应用中。其高效率和高可靠性使其成为许多功率电子系统中的理想选择。
IRFZ44N, FDP047N10, IRLZ44N
