I7525BN 时间：2025/5/16 17:44:33 阅读：8

I7525BN是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于开关和功率放大应用。该器件采用N沟道技术，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合在高效率电源转换、电机驱动以及负载开关等场景中使用。
　　该芯片以其出色的性能和可靠性著称，广泛应用于消费电子、工业设备和通信领域。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：18A
　　导通电阻：3.6mΩ
　　栅极电荷：64nC
　　输入电容：1940pF
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

I7525BN具备低导通电阻的特点，有助于降低功率损耗并提高系统效率。
　　其高电流承载能力使得该器件适用于大功率应用场景。
　　快速开关特性减少了开关损耗，提升了高频电路的性能。
　　良好的热稳定性确保了器件在极端温度条件下的可靠运行。
　　同时，该器件还具有抗雪崩能力和低反向恢复电荷，适合于严苛的工作环境。

应用

I7525BN常用于直流-直流转换器、开关电源（SMPS）、电机控制、电池管理系统（BMS）以及负载开关等应用中。
　　在消费类电子产品中，它可用于笔记本电脑适配器、智能手机快充模块和家用电器的电源管理。
　　在工业领域，该器件支持工厂自动化设备中的伺服驱动和机器人控制系统。
　　此外，在新能源汽车和储能系统中，I7525BN也发挥着重要作用，如用于电动汽车的车载充电器和DC-DC变换器。