HZU5.6B3JTRF是一款由Rohm Semiconductor制造的表面贴装齐纳二极管(Zener Diode),主要用于电压调节和电路保护应用。该器件的标称齐纳电压为5.6V,适用于低功率电子设备和嵌入式系统中的稳压电路。其封装形式为SOD-323,具备小尺寸、低功耗和高稳定性的特点,适合用于便携式设备和高密度PCB布局。
类型:齐纳二极管
标称齐纳电压:5.6V
容差:±3%
功率耗散:300mW
最大齐纳电流:100mA
工作温度范围:-55°C ~ 150°C
封装类型:SOD-323
引脚数:2
HZU5.6B3JTRF齐纳二极管具有优异的电压稳定性能,其±3%的容差确保了在精密电路中的可靠性。该器件的低动态电阻有助于在负载变化时维持稳定的输出电压,从而提升电路的稳定性。此外,其300mW的功率耗散能力足以应对大多数低功耗应用,而100mA的最大齐纳电流则支持中等范围的电流调节需求。
采用SOD-323封装,HZU5.6B3JTRF具备优良的热稳定性和机械强度,能够在严苛环境下稳定运行。该器件的表面贴装设计便于自动化生产,提高了制造效率和产品一致性。其工作温度范围从-55°C至150°C,适应多种工业环境。
HZU5.6B3JTRF常用于电压参考、电源稳压、信号调节和电路保护等场景。在嵌入式系统中,它可用于为微控制器或其他IC提供稳定的参考电压。在电源管理模块中,该齐纳二极管可作为过压保护元件,防止瞬态电压对下游电路造成损害。此外,它还可应用于传感器接口电路、电池管理系统和消费类电子产品中的稳压电路。
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"HZU5.6B3SCTR",
"HZU5.6B3JTR",
"MMBZ5231B-TP",
"1N4734A-TR"
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