类型：齐纳二极管
　　制造商：东芝（Toshiba）
　　封装类型：SOD-323
　　齐纳电压（Vz）：3.9V
　　最大耗散功率（Pd）：150mW
　　最大反向电流（Izmax）：100mA
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　引脚数：2

HZU3R9B1是一款高稳定性的齐纳二极管，能够在宽温度范围内保持其击穿电压的一致性。其主要特性包括：
　　? 精确的电压调节能力：HZU3R9B1的齐纳电压设定为3.9V，并具有±5%的容差，适用于需要稳定电压参考的应用。
　　? 低动态电阻：该器件在工作状态下具有较低的动态电阻，有助于在负载变化时维持电压的稳定。
　　? 小型SOD-323封装：适用于空间受限的设计，如手持设备、消费类电子产品和便携式仪器。
　　? 高可靠性：采用高质量的半导体材料和封装技术，确保产品在恶劣环境条件下仍能正常工作。
　　? 低反向漏电流：在低于击穿电压的情况下，HZU3R9B1的反向漏电流非常小，有助于减少电路中的静态功耗。
　　? 快速响应时间：能够在电压波动时迅速响应，提供即时的电压调节功能。
　　这些特性使得HZU3R9B1在电压调节、过压保护和基准电压生成等应用中表现出色。

HZU3R9B1广泛应用于各种电子设备中，用于提供稳定的电压参考或实现过压保护功能。常见的应用场景包括：
　　? 电压调节电路：在电源管理模块中作为参考电压源，确保输出电压的稳定性。
　　? 过压保护：用于保护敏感的电子元件免受瞬态高压的影响，如静电放电（ESD）和电感负载引起的电压尖峰。
　　? 信号调理电路：在模拟电路中作为电压限幅器，防止输入信号超过允许范围。
　　? 电池供电设备：用于便携式设备中的电压监测和调节，确保设备在电池电压变化时仍能正常工作。
　　? 工业控制系统：用于PLC、传感器和测量仪器中的电压参考和保护电路。

HZU3R9B1的替代型号包括HZU3R9B、HZU3R9B2、MM3Z3V9T1G和BZT52-B3.9