时间：2025/9/7 2:45:41
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HZU3.6B1TRF是一款由ROHM Semiconductor制造的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和电压参考应用。齐纳二极管是一种特殊的二极管，能够在反向击穿区域工作而不损坏，保持一个稳定的电压。该型号的齐纳电压为3.6V，适合用于低电压调节电路。该器件采用小型SOD-123表面贴装封装，适用于高密度PCB布局。
类型：齐纳二极管
齐纳电压：3.6V
最大齐纳电流：200mA
最大功耗：200mW
封装类型：SOD-123
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
存储温度范围：-55°C 至 +150°C
HZU3.6B1TRF齐纳二极管具有稳定的齐纳击穿电压，确保在反向偏置条件下提供精确的电压参考。其齐纳电压容差较小，适合对电压精度要求较高的应用。
该器件的最大功耗为200mW，能够在低功耗条件下稳定工作，适用于便携式电子设备和节能型电路设计。
采用SOD-123封装，体积小巧，便于在高密度印刷电路板（PCB）上安装，同时具备良好的热性能和机械强度。
其工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种工业环境，具有良好的温度稳定性和可靠性。
此外，HZU3.6B1TRF具备良好的动态阻抗特性，能够在负载变化时维持输出电压的稳定性，适用于电源管理、稳压电路、电压检测等多种应用场景。
HZU3.6B1TRF广泛应用于需要稳定电压参考的电路中，如电源稳压电路、电压检测电路、电池管理系统、电压调节器以及模拟电路中的基准电压源。
在微控制器系统中，该齐纳二极管可用于提供精确的参考电压，确保ADC（模数转换器）或比较器的准确性。
在电池供电设备中，它可以用于监测电池电压，并在电压下降到特定水平时触发保护机制。
此外，该器件也适用于工业自动化设备、消费类电子产品和通信设备中的电压调节和参考应用。
HZU3.6B1TRF的替代型号包括BZX84-C3.6、MM3Z3V6、1N4727A等，这些型号在电气特性和封装形式上具有相似的性能，可根据具体应用需求进行选择。
