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HZM7ATL 发布时间 时间:2025/9/7 5:56:28 查看 阅读:4

HZM7ATL 是一款由东芝(Toshiba)生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件,属于功率MOSFET类别。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电子电路中,例如电源管理、电机控制、电池供电设备以及工业自动化系统等。HZM7ATL采用N沟道结构,具备较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合用于高频开关应用。

参数

类型:N沟道 MOSFET
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):20V
  最大漏极电流(Id):100A(在Vgs=10V时)
  导通电阻(Rds(on)):约5.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
  封装类型:TO-252(DPAK)
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

HZM7ATL具有多个显著的电气和热性能优势。首先,其低导通电阻(Rds(on))能够有效降低功率损耗,提高系统的整体效率。其次,该器件采用了先进的沟槽栅极技术,提供更快的开关速度和更高的频率响应能力,适用于高频开关电源和DC-DC转换器等应用。此外,HZM7ATL具有较高的电流承载能力和良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,增强了系统的可靠性和耐久性。其TO-252(DPAK)封装不仅提供了良好的散热性能,还支持表面贴装工艺,适用于现代自动化生产流程。最后,该器件的栅极驱动电压范围较宽,通常支持4.5V至20V之间的栅极电压,便于与不同类型的驱动电路兼容,提高了设计灵活性。
  在保护特性方面,HZM7ATL具备一定的抗静电能力(ESD保护)和短路耐受能力,能够在一定程度上抵御异常工作条件下的损坏。此外,该器件的封装设计也考虑了机械强度和安装便利性,适用于多种应用场景。

应用

HZM7ATL广泛应用于多个电子领域,包括但不限于以下方面:电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动器、电池充电器、工业自动化控制设备、电动工具、汽车电子系统(如车载充电器、起停系统)以及消费类电子产品(如笔记本电脑、平板电脑、智能家电)等。由于其高效率和高可靠性的特点,HZM7ATL也常用于需要高功率密度和低功耗的设计中。

替代型号

SiR178DP-T1-GE3, IRF1324S-7PPBF, FDP1010N, FDS6680, AOD4144, NVTFS5C471NLWTAG

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