HZM18NB1TR 时间：2025/11/7 20:56:19 阅读：5

HZM18NB1TR是一款由ROHM Semiconductor生产的P沟道功率MOSFET，采用紧凑型封装设计，适用于多种电源管理和开关应用。该器件以其低导通电阻（RDS(on)）、高可靠性以及优异的热性能而著称，广泛用于便携式电子设备、电池供电系统、负载开关电路及DC-DC转换器中。作为一款表面贴装型MOSFET，HZM18NB1TR采用了先进的沟槽栅极工艺技术，在保证高性能的同时实现了小型化封装，有助于节省PCB空间并提升整体系统集成度。其额定电压为-20V，最大连续漏极电流可达-6A，适合在中等功率条件下工作。此外，该器件具有良好的开关特性，能够有效降低开关损耗，提高电源效率。由于其出色的电气特性和稳定性，HZM18NB1TR被广泛应用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及其他对尺寸和功耗敏感的消费类电子产品中。制造商还提供了完整的数据手册和技术支持文档，便于工程师进行选型和电路设计优化。

参数

型号：HZM18NB1TR
　　类型：P沟道MOSFET
　　封装/外壳：SOP-8
　　供应商：ROHM Semiconductor
　　通道数：单通道
　　漏源电压(VDSS)：-20V
　　栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-6A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-12A
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=4.5V：45mΩ
　　导通电阻(RDS(on))@VGS=2.5V：60mΩ
　　阈值电压(Vth)：-1.0V
　　输入电容(Ciss)：530pF
　　输出电容(Coss)：190pF
　　反向传输电容(Crss)：35pF
　　栅极电荷(Qg)：7nC
　　上升时间(tr)：15ns
　　下降时间(tf)：10ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

HZM18NB1TR具备卓越的导通性能与低静态功耗特性，其核心优势在于采用了ROHM专有的Trench MOS结构，使得器件在低栅极驱动电压下仍能实现极低的导通电阻，从而显著减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效表现。该器件在VGS = 4.5V时，RDS(on)典型值仅为45mΩ，即便在较低的VGS = 2.5V条件下也能保持60mΩ的低阻水平，这使其非常适合用于3.3V或更低逻辑电平控制的应用场景，如移动设备中的电源管理单元。此外，其快速的开关响应能力得益于较小的栅极电荷（Qg = 7nC）和优化的寄生电容设计，有效降低了开关过程中的动态损耗，提升了高频工作的可行性。
　　在可靠性方面，HZM18NB1TR通过了严格的AEC-Q101车规级认证测试，具备出色的抗冲击、耐高温和长期稳定性，能够在恶劣环境条件下稳定运行。其SOP-8封装不仅提供了良好的散热路径，还增强了机械强度，防止因热循环引起的焊点疲劳。同时，该封装形式兼容标准回流焊工艺，便于自动化生产组装。器件内部集成了体二极管，具备一定的反向电流续流能力，在某些拓扑结构中可简化外围电路设计。此外，其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）确保了在极端气候条件下的可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。为了进一步提升系统安全性，该MOSFET还具备过温保护和短路耐受能力的设计考量，避免因异常工况导致永久性损坏。总体而言，HZM18NB1TR是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的P沟道MOSFET解决方案，特别适用于对空间和效率要求严苛的现代电子系统。

应用

HZM18NB1TR广泛应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载管理模块，例如智能手机和平板电脑中的屏幕背光控制、摄像头模组供电切换以及主处理器的电源域管理。其低导通电阻和快速响应特性也使其成为高效同步降压变换器（Buck Converter）中上管或下管的理想选择，尤其适用于需要频繁启停和动态调压的DC-DC转换电路。此外，该器件常用于电池供电系统的充放电路径控制，作为理想二极管替代方案以减少压降和发热，延长续航时间。在工业控制领域，HZM18NB1TR可用于传感器模块、PLC输入输出接口及小型继电器驱动电路中，提供可靠的信号隔离与功率切换功能。由于其符合RoHS环保标准且不含卤素，因此也适用于绿色电子产品设计。随着物联网设备的发展，该MOSFET也被集成于智能穿戴设备、无线耳机充电盒及智能家居节点中，承担电源门控和节能管理任务。在汽车电子中，尽管主要面向消费类市场，但凭借其AEC-Q101认证背景，也可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统的辅助电源管理等非主驱应用场景。总之，凡是需要高效、小型化P沟道MOSFET进行电压切换与功率控制的地方，HZM18NB1TR都是一种极具竞争力的选择。