时间：2025/8/20 20:53:15
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HZM18N是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而著称，适用于各类开关电源、DC-DC转换器、电机驱动电路以及负载开关等场景。HZM18N采用TO-220或DPAK等常见封装形式，便于散热和安装，适用于中高功率应用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：最大100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A（在25℃）
导通电阻（Rds(on)）：典型值0.095Ω（最大0.125Ω）
功率耗散（Ptot）：125W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装形式：TO-220、DPAK（根据具体制造商）
HZM18N的核心特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这使得在高电流工作状态下导通损耗显著降低，从而提高系统整体效率。该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下稳定工作，适用于对散热要求较高的应用场合。HZM18N的栅极驱动电压范围较宽，支持常见的10V至15V驱动电压，便于与各类驱动电路兼容。其高耐压能力（100V）使其适用于多种中压功率转换应用。此外，该MOSFET具备较高的短时过流能力，能够在瞬态负载条件下提供一定的保护能力。
HZM18N广泛应用于各类电源系统中，包括AC-DC开关电源、DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关以及电机驱动电路。此外，它也适用于电池管理系统（BMS）、电源适配器、LED驱动器以及工业自动化设备中的功率控制模块。由于其良好的导热性能和较高的可靠性，HZM18N也常用于汽车电子系统，如车载充电器和DC-DC变换器。
IRFZ44N、STP18NF10、FDPF18N10A、IPD18N10N3 G、FDN340P
