时间：2025/9/7 17:42:35
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HZM10NB3TR 是一款由 Renesas（瑞萨电子）推出的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，适合用于高效率 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等应用。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏源电压（Vds）：100V
最大漏极电流（Id）：10A（连续）
导通电阻 Rds(on)：约 0.28Ω @ Vgs=10V
栅极电压（Vgs）：±20V
最大功耗（Pd）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
HZM10NB3TR 具备多项优良的电气和物理特性，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻 Rds(on) 有效降低了导通损耗，提高了整体能效，适用于高效率电源设计。其次，该 MOSFET 采用沟槽式结构，提升了单位面积内的电流承载能力，从而在小型封装下实现较高的电流输出。此外，该器件具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，增强了系统可靠性。
在开关特性方面，HZM10NB3TR 拥有较快的开关速度，降低了开关损耗，并支持高频操作，这在开关电源（SMPS）和 DC-DC 转换器等应用中尤为重要。同时，其栅极电荷（Qg）较低，减少了驱动电路所需的功率，有助于提升系统的整体效率。
该 MOSFET 还具备良好的短路耐受能力，能够在瞬态过载或异常工作条件下提供一定的保护功能。此外，由于其封装形式为 TO-252（DPAK），具备良好的散热性能，适合表面贴装工艺，广泛应用于各类工业控制、消费电子和汽车电子系统。
HZM10NB3TR 主要应用于需要高效功率控制和开关功能的电子系统中。典型应用包括同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及各类便携式设备的电源管理模块。此外，它也适用于工业自动化设备、LED 照明驱动电路以及汽车电子系统中的功率控制部分。
Si9410BDY-T1-E3, FDN340P, FDS6680, IRFZ44N, AO3400
