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HZK7CTR 发布时间 时间:2025/12/28 16:57:51 查看 阅读:18

HZK7CTR是一种电子元器件芯片,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。它被设计用于高效率的功率转换和控制应用,如电源供应器、DC-DC转换器和负载开关等。HZK7CTR采用先进的半导体制造工艺,具有高性能和可靠性,同时满足工业和消费类电子产品的严格要求。该芯片封装形式为SOT-23,便于在PCB上安装和集成。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±8V
  漏极电流(Id):500mA(最大值)
  导通电阻(Rds(on)):350mΩ(最大值)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:SOT-23

特性

HZK7CTR的特性包括低导通电阻、高速开关性能以及良好的热稳定性。其低导通电阻确保了在传导电流时的低功耗和高效率,这对于需要高能效的系统设计至关重要。该芯片的高速开关能力使其适用于高频操作,有助于减小外部滤波元件的尺寸,并提高整体系统的响应速度。此外,HZK7CTR具有优良的热稳定性,能够在高温环境下稳定工作,从而提高了设备的可靠性和寿命。这种MOSFET还具备过热保护功能,在异常工作条件下能够自动切断电流,防止损坏。其SOT-23封装形式不仅节省空间,还提供了良好的电气性能和机械强度,适用于表面贴装工艺,便于大规模生产和维修。

应用

HZK7CTR广泛应用于各种电子设备中,如便携式电子产品、电池供电设备、小型电源模块、LED驱动电路以及负载开关控制。由于其高性能和紧凑的封装,它也常用于需要高效功率管理的工业控制系统和通信设备。

替代型号

2N7002K, BSS138

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