HZF18BPTR 时间：2025/9/7 14:54:10 阅读：28

HZF18BPTR是一种N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理应用，如DC-DC转换器、电源开关、负载管理以及电池供电设备中的功率控制。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了能效。HZF18BPTR通常采用SOT-23或SOP-8等小型封装形式，适合在空间受限的便携式电子产品中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4.3A（在25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：23mΩ（最大值，VGS=4.5V）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：SOT-23/SOP-8

特性

HZF18BPTR具备多项优异特性，首先其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高系统效率。其次，该MOSFET具有较高的电流承载能力，适用于中等功率应用。此外，其栅极驱动电压较低，可在4.5V下正常工作，因此与多种控制器和驱动IC兼容良好。器件内部的沟道设计优化了开关性能，减少了开关损耗，并提高了整体稳定性。HZF18BPTR还具有良好的热稳定性，能够在较高的环境温度下可靠运行。此外，它具备较高的抗雪崩能力，增强了器件在突变负载或短路情况下的鲁棒性。
　　此外，该器件采用环保材料制造，符合RoHS指令，适用于工业级和消费类电子产品。

应用

HZF18BPTR广泛应用于各类电源管理系统，包括同步整流DC-DC降压或升压转换器、负载开关、马达控制、电池保护电路、LED驱动电路以及各类便携式电子设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能，HZF18BPTR也适用于需要高效率和高可靠性的电源管理场合，例如智能穿戴设备、无人机、工业自动化设备和智能家电等。