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HZF18BPTR 发布时间 时间:2025/9/7 14:54:10 查看 阅读:8

HZF18BPTR是一种N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高效率电源管理应用,如DC-DC转换器、电源开关、负载管理以及电池供电设备中的功率控制。该器件采用先进的制造工艺,具有较低的导通电阻(RDS(on)),从而降低了导通损耗并提高了能效。HZF18BPTR通常采用SOT-23或SOP-8等小型封装形式,适合在空间受限的便携式电子产品中使用。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):4.3A(在25°C)
  导通电阻(RDS(on)):23mΩ(最大值,VGS=4.5V)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装形式:SOT-23/SOP-8

特性

HZF18BPTR具备多项优异特性,首先其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高系统效率。其次,该MOSFET具有较高的电流承载能力,适用于中等功率应用。此外,其栅极驱动电压较低,可在4.5V下正常工作,因此与多种控制器和驱动IC兼容良好。器件内部的沟道设计优化了开关性能,减少了开关损耗,并提高了整体稳定性。HZF18BPTR还具有良好的热稳定性,能够在较高的环境温度下可靠运行。此外,它具备较高的抗雪崩能力,增强了器件在突变负载或短路情况下的鲁棒性。
  此外,该器件采用环保材料制造,符合RoHS指令,适用于工业级和消费类电子产品。

应用

HZF18BPTR广泛应用于各类电源管理系统,包括同步整流DC-DC降压或升压转换器、负载开关、马达控制、电池保护电路、LED驱动电路以及各类便携式电子设备中的功率控制模块。由于其低导通电阻和良好的热性能,HZF18BPTR也适用于需要高效率和高可靠性的电源管理场合,例如智能穿戴设备、无人机、工业自动化设备和智能家电等。

替代型号

Si2302DS, AO3400A, FDN340P, FDS6675

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