HZF13CPTR是一种常用的电子元器件,主要用于电源管理电路和功率控制应用。这种元件通常被归类为功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),具备高效率、低导通电阻和快速开关特性。由于其紧凑的封装形式和良好的热性能,HZF13CPTR非常适合用于紧凑型电子设备中的功率转换和控制。它广泛应用于DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池管理系统等。
类型:功率MOSFET
封装类型:表面贴装
漏源电压(VDS):20V
栅源电压(VGS):±12V
漏极电流(ID):4A
导通电阻(RDS(on)):30mΩ
功耗(PD):1.4W
工作温度范围:-55°C至150°C
存储温度范围:-55°C至150°C
引脚数:3
HZF13CPTR的主要特性之一是其低导通电阻,这使得它在高电流应用中能够保持较低的功率损耗,从而提高整体系统的效率。该器件的漏源电压额定值为20V,适合中低电压电源应用。漏极电流能力达到4A,使得它能够处理较高的功率负载。此外,该MOSFET具有快速开关特性,有助于减少开关损耗并提高响应速度,这在高频开关应用中尤为重要。HZF13CPTR采用表面贴装封装,有助于减少PCB上的空间占用,并提供良好的热管理性能,确保器件在高负载条件下仍能稳定工作。其工作温度范围广泛,从-55°C到150°C,适用于各种环境条件下的工业和消费类电子产品。此外,该器件还具备较高的可靠性,适合用于要求长时间稳定运行的应用场景。
HZF13CPTR广泛应用于多种电子设备中,特别是在需要高效功率管理的场合。例如,在DC-DC转换器中,HZF13CPTR用于实现高效的电压转换,同时保持较小的电路尺寸。在负载开关电路中,它可以作为高效的电子开关,控制电源的通断。此外,该器件还常用于电机控制电路,用于驱动小型直流电机或步进电机。在电池管理系统中,HZF13CPTR可以用于充放电控制,确保电池的安全运行。由于其紧凑的封装和良好的热性能,它也适用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。此外,该器件还可用于LED照明驱动电路,提供稳定的电流控制。
Si2302DS, AO3400A, IRF7401, FDS6675