时间：2025/9/2 10:07:12
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HYUF621AL 是一款由东芝（Toshiba）推出的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，主要用于高效率电源转换和功率管理应用。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于需要高效率和低损耗的电路设计，如DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。其封装形式为SOP（小外形封装），适合表面贴装技术（SMT）。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（Id）：6.0A
最大漏源电压（Vds）：20V
最大栅源电压（Vgs）：±12V
导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ Vgs=4.5V
栅极电荷（Qg）：11nC @ Vgs=4.5V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：SOP-8
HYUF621AL 采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的性能，适合用于电池供电设备或需要低电压操作的系统。此外，其SOP-8封装设计有助于节省PCB空间，并提供良好的热性能，确保在高电流负载下稳定运行。内置的ESD保护功能也增强了器件的可靠性，使其在复杂电磁环境中不易受损。该MOSFET还具有快速开关能力，有助于减少开关损耗，提高整体电源转换效率。
HYUF621AL 广泛应用于各种电源管理系统和功率控制电路中，例如便携式电子设备的电源管理模块、DC-DC转换器、负载开关、电池保护电路以及电机驱动器等。由于其高效率和小尺寸封装，特别适合用于空间受限的便携式设备和高密度电路设计。
TPS62175, RT6214, SY62800
