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HYMP564U72P8-E3/C4 发布时间 时间:2025/9/3 22:12:19 查看 阅读:2

HYMP564U72P8-E3/C4 是三星(Samsung)推出的一款高性能、低功耗的DDR3 SDRAM内存模块。该型号属于高带宽内存解决方案,适用于需要大量数据处理和高速存取的系统,如服务器、工作站、高端计算设备和网络设备等。HYMP564U72P8-E3/C4 采用72位总线宽度(包含8位ECC校验位),支持ECC(错误检查与纠正)功能,能够在数据传输过程中检测并纠正单比特错误,从而提高系统的稳定性和可靠性。

参数

类型:DDR3 SDRAM
  容量:4GB
  数据速率:1333Mbps
  电压:1.35V
  数据宽度:72位(64位数据 + 8位ECC)
  工作温度:0°C 至 85°C
  封装形式:FBGA
  封装尺寸:根据具体封装标准
  时钟频率:667MHz
  CL(CAS Latency):9
  tRC(行周期时间):54ms
  tRC(行预充电时间):10ns

特性

HYMP564U72P8-E3/C4 具备多项先进的技术特性,以满足高性能计算和数据密集型应用的需求。首先,该模块采用DDR3 SDRAM技术,提供了高达1333Mbps的数据传输速率,显著提高了内存带宽和系统性能。DDR3技术还具备较低的功耗,适用于对能效有严格要求的系统。
  其次,该模块支持ECC(错误检查与纠正)功能,能够在数据传输过程中检测并纠正单比特错误,从而防止数据损坏和系统崩溃,提升系统的稳定性和可靠性。这一特性尤其适用于服务器、数据中心和关键任务系统等对数据完整性要求极高的应用场景。
  此外,HYMP564U72P8-E3/C4 工作电压为1.35V,相比标准的1.5V DDR3内存,功耗更低,有助于减少热量产生并延长设备使用寿命。其工作温度范围为0°C至85°C,适用于多种环境条件,包括高负载和高温操作环境。
  该模块采用FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)封装技术,具有更小的体积和更高的封装密度,适用于高密度主板设计和空间受限的应用场景。封装结构也提供了良好的电气性能和热管理能力,有助于提升模块的稳定性和耐用性。
  最后,HYMP564U72P8-E3/C4 模块符合JEDEC标准,确保与其他DDR3内存系统的兼容性。它广泛应用于服务器、网络设备、存储系统和高性能计算平台,满足现代数据中心和企业级应用对高性能、高可靠性和低功耗内存解决方案的需求。

应用

HYMP564U72P8-E3/C4 主要应用于需要高性能和高可靠性的计算系统。其ECC功能使其特别适用于服务器和数据中心等对数据完整性要求极高的环境,可有效防止因内存错误导致的系统崩溃或数据损坏。该模块也广泛用于企业级存储系统、网络设备(如路由器和交换机)、工业控制设备和嵌入式系统,满足这些系统对大容量、高速内存的需求。此外,HYMP564U72P8-E3/C4 还适用于高性能计算(HPC)平台,如科学计算、图形处理和虚拟化环境,提供稳定且高效的内存支持。

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HYMP564U72B8A-E3/C4, HYMP564U72A8A-E3/C4

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