时间：2025/9/2 6:01:37
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HYMP125S64CP8-S6-C 是由SK Hynix（海力士）生产的一款高性能移动式DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array）封装，专为低功耗、高性能的移动设备应用而设计。HYMP125S64CP8-S6-C的存储容量为128MB，支持16位数据总线宽度，并且具有较高的数据传输速率，适用于智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器等对功耗和性能都有较高要求的设备。
型号：HYMP125S64CP8-S6-C
制造商：SK Hynix
类型：DRAM
容量：128MB
封装类型：FBGA
数据总线宽度：16位
电压：1.7V - 3.3V
温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：54-ball FBGA
频率：166MHz
数据速率：166MHz
延迟时间：CL=6
工作温度：-40°C 至 +85°C
HYMP125S64CP8-S6-C 采用先进的DRAM技术，具备低功耗特性，非常适合移动设备和嵌入式系统使用。其16位宽的数据总线支持高速数据传输，满足高带宽应用的需求。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不牺牲数据完整性的前提下降低功耗。HYMP125S64CP8-S6-C还具备良好的温度适应能力，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定运行，适合各种严苛环境下的应用。
该芯片的FBGA封装设计有助于提高封装密度，同时减少信号干扰，提升整体系统稳定性。此外，其内置的突发模式支持顺序或交错访问，从而优化了数据访问效率。HYMP125S64CP8-S6-C在设计上兼顾了高性能与低功耗，使其成为高端移动设备和嵌入式系统的理想选择。
HYMP125S64CP8-S6-C 主要应用于需要高可靠性和低功耗的移动设备和嵌入式系统中。例如，它可以作为智能手机、平板电脑、便携式游戏机和数码相机的主存储器。此外，该芯片也适用于工业控制设备、车载信息娱乐系统、医疗设备和物联网（IoT）设备等对存储性能和能效要求较高的场景。由于其宽温度范围支持，HYMP125S64CP8-S6-C 也常用于户外设备和工业自动化系统中，确保在极端环境下的稳定运行。
HYMP125S64CP8-S6-M / HYMP125S64CP8-S6-B / HYMP125S64CP8-S6-D
