时间：2025/9/2 8:38:48
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HYMP112S64CP6-S6是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的移动DRAM（Mobile Dynamic Random Access Memory）芯片，专为低功耗和高性能应用设计。该芯片广泛应用于移动设备、平板电脑、嵌入式系统和需要高内存带宽的便携式电子产品中。HYMP112S64CP6-S6的封装形式为FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），具有较高的集成度和良好的散热性能。
容量：128MB
数据宽度：16位
电压：1.8V
封装类型：FBGA
引脚数：54
工作温度范围：-40°C至85°C
接口类型：并行接口
时钟频率：166MHz
数据速率：166MHz
HYMP112S64CP6-S6是一款低功耗、高性能的移动DRAM芯片，采用了先进的CMOS技术，能够在低电压下运行，从而有效降低功耗，延长电池寿命。其1.8V的工作电压使其适用于电池供电设备，符合现代移动设备对能效的要求。该芯片的166MHz时钟频率提供了较高的数据传输速率，能够满足高速数据处理的需求。
该芯片采用FBGA封装，具有较小的体积和良好的热管理性能，适合在空间受限的设备中使用。此外，HYMP112S64CP6-S6支持自动刷新和自刷新模式，能够在不同工作状态下保持数据的完整性，减少系统功耗。
这款DRAM芯片具有良好的稳定性和可靠性，能够在-40°C至85°C的工业级温度范围内正常工作，适用于各种严苛的环境条件。其并行接口设计使得数据传输更加高效，同时兼容多种处理器和控制器，具有较强的通用性。
HYMP112S64CP6-S6广泛应用于移动电话、平板电脑、嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、便携式游戏机等消费类电子产品。此外，它也可用于工业控制设备、汽车电子系统以及物联网（IoT）设备，为这些设备提供高效、低功耗的内存解决方案。
HYMP112S64C06-S6, HYMP112S64C86-S6
