时间：2025/9/2 3:02:26
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HYIOUGGOMF1P-6SSOE 是一款由 Hynix（现为 SK Hynix）生产的 DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于其高密度内存产品系列。该型号主要用于需要高性能内存支持的电子设备，如计算机、服务器、嵌入式系统以及消费类电子产品。这款内存芯片采用了先进的制造工艺，具备较高的数据存取速度和稳定性。其封装形式为 FBGA（Fine-Pitch Ball Grid Array），便于高密度 PCB 布局和良好的热管理。
类型：DRAM
容量：1Gb
组织结构：x16
电压：1.8V - 3.3V
封装：FBGA
引脚数：54
速度等级：-6（对应访问时间 6ns）
工作温度范围：0°C 至 70°C 或 -40°C 至 85°C（视具体版本而定）
接口类型：异步
工艺技术：CMOS
HYIOUGGOMF1P-6SSOE 是一款异步DRAM芯片，具有1Gb的存储容量，适合用于需要较大内存缓冲的应用场景。
该芯片支持 x16 的数据组织方式，使其在数据吞吐量上具备优势，适用于图像处理、数据缓存等需要快速访问的场合。
采用CMOS工艺制造，具备低功耗和高稳定性的特点，有助于延长设备的使用寿命并降低系统功耗。
其FBGA封装设计不仅节省空间，而且提高了散热效率，适合在紧凑型电子设备中使用。
支持宽电压范围（1.8V至3.3V），增强了其在不同系统平台中的兼容性。
该芯片的工作温度范围较宽，能够适应工业级和商业级工作环境，确保在各种条件下稳定运行。
HYIOUGGOMF1P-6SSOE 广泛应用于多种需要高性能存储的电子系统中，例如：
嵌入式控制系统：如工业自动化设备、智能家电和医疗设备。
通信设备：包括路由器、交换机、基站等通信基础设施。
消费电子产品：如数码相机、高清电视、机顶盒等。
图形处理模块：用于图像缓存或视频流处理。
由于其高可靠性和宽温工作范围，也适用于一些对环境适应性要求较高的工业和汽车电子应用。
HYIOUGGOMF1P-6SSE
HYIOUGGOMF1P-6SSOA
HYIOUGGOMF1P-6SSOB
HYIOUGGOMF1P-6SSOC
